可替代EUV光刻机 工艺直逼1.4nm 日本开发全新纳米压印技术
1.4nm制程！纳米压印技术突破
日企开发出1/10电量制造1.4纳米半导体的技术
新势力纯电“高尔夫”零跑Lafa5内饰官图发布：战斗感
传统的光刻设备通过将高能光线投射到涂有光刻胶的晶圆上来塑造电路图形，而佳能FPA-1200NZ2C系统则通过将印有电路图形的掩模像印章一样压入晶圆上的光刻胶内来实现这一过程。佳能表示，他们的目标是最快在今年…
9 月 27日消息，佳能日本东京当地时间昨日宣布，将在同日向总部位于美国得克萨斯州的半导体联盟得克萨斯电子研究所（TIE）交付佳能最先进的纳米压印光刻NIL 系统 FPA-1200NZ2C。该设…
01/20 14:04
01/20 13:53
京公网安备 11011402013531号