这个开关能够在纳秒级别的决策延迟内优化内存访问。
驰拓科技首次提出了适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构，显著降低了SOT-MRAM工艺流程的复杂性和难度，并从原理上提升了器件良率。 不过SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性，特别是传…
复旦大学周鹏-刘春森团队前期研究表明二维半导体结构能够将速度提升一千倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存。在原子级薄层沟道支持下，这一超小尺寸器件具备20 纳秒超快编程、10 年非易失、十万次循环寿命和多…
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