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  • 美光回应在华业务调整:全球战略调整一部分,退出移动NAND产品市场

    08/13
  • 美光回应中国区裁员

    08/12
  • 美光:HBM4E 时代定制 HBM 内存落地,推动形成“特供”格局

    08/12
  • 盘前涨近5%!DRAM价格改善推动盈利提升,美光全面上调第四季度业绩预期

    08/12
  • 消息称三星Galaxy S26 Ultra手机将搭载LPDDR5X内存,速率达10.7 Gbps

    这款手机的整体性能将远超前代机型

    08/11
  • 全球首款 Gen6 固态硬盘 9650 领衔,美光发布三款新数据中心 SSD

    07/30
  • 业界最 256Gb 容量耐辐射 SLC,美光推首款太空认证 NAND 闪存

    07/23
  • 三星、SK海力士、美光退出,下游抢囤促提价

    07/09
  • 英伟达为RTX 50系列显卡添加供应商:美光开始供应GDDR7

    07/08
  • 因为白菜价内存 长江存储在美国狂扁美国人

    因为白菜价内存 长江存储在美国狂扁美国人

    07/07
  • 因为白菜价内存 长江存储在美国狂扁美国人

    因为白菜价内存 长江存储在美国狂扁美国人

    07/06
  • 美光宣布在美投资增至2000亿美元

    美光已启动位于其总部爱达荷州博伊西的1座DRAM内存晶圆厂建设

    06/15
  • 美光高管确认已向多领域客户发布 DDR4 / LPDDR4 内存 EOL 通知

    6 月 13 日消息,美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 在接受台媒《电子时报》 (DIGITIMES)专访时表示,该企业已向 PC 及数据中心等领域客户发布 DDR4 / LP…

    06/13
  • 美光宣布在美投资增至2000亿美元,加建晶圆厂和HBM封装设施

    月 13 日消息,美光当地时间昨日宣布将在美国的投资从此前宣布的 1250 亿美元扩大至 2000 亿美元(IT之家注:现汇率约合 1.44万亿元人民币),包括额外 250 亿美元的内存制造投资和单独 50…

    06/13
  • 美光重磅加码美国制造!官宣2000亿美元投资:扩产、研发两手抓

    6月13日消息,美光科技日前宣布,将投资约2000亿美元(约14363亿元人民币),在美国扩大生产和研发活动。 根据美光的声明,此次投资计划包括1500亿美元用于国内内存芯片制造,以及500亿美元用于研…

    06/13
  • 美光将HBM4送样给多家主要客户 拉近与SK海力士技术差距

    美光科技宣布,已将12层堆叠36GB HBM4送样给多家主要客户,也是继SK海力士后第二家宣布出货HBM4的业者,显现双方技术差距步逐步拉近。美光HBM4记忆体具有2048位元界面,每个记忆体堆叠的传输速率超…

    06/12
  • 长江存储再诉美光不正当竞争

    在此次诉讼中,长江存储指出,美光在技术实力和产品性能方面落后于自己,因此采取了不当手段以图扭转劣势。据报道,该机构的资金主要来源于美光及戴尔。根据法院安排,相关文件在打印后仅限指定的外部法律顾问和专家查阅,…

    06/12
  • 出乎意料!美光爆冷成NVIDIA首家SOCAMM供应商:反超三星、SK海力士

    快科技6月11日消息,据媒体报道,NVIDIA委托三星电子、SK海力士和美光三大DRAM厂商开发SoCEM内存模块,而美光意外地成为首家获得量产批准的公司。 SoCEM是由NVIDIA构思的一种新型内存模块,…

    06/11
  • 领先三星、SK 海力士:消息称美光成英伟达首家 SOCAMM 供应商

    注:SOCAMM 全称 Small Outline Compression Attached MemoryModule,即外形更为小巧的 CAMM 压缩附加内存模组,目前的 SOCAMM 基于 L…

    06/11
  • 美光宣布向多个关键客户出样 HBM4 12Hi 36GB 内存

    6 月 10 日消息,美光美国爱达荷州博伊西当地时间今日宣布向多个关键客户交付其 HBM4 36GB 12Hi 内存样品。获悉,美光的 HBM4 36GB 12Hi 基于其成熟的 1ß 工…

    06/10
  • 美光率先推出第六代 10nm 级 LPDDR5x 内存,速度可达 10.7Gbps

    6 月 4 日消息,美光当地时间昨日宣布在业界率先推出基于第六代 10nm 级制程(注:按美光命名为1γ、1-gamma,按三星和 SK 海力士命名为 1c)的 LPDDR5x DRAM …

    06/04
  • 美光发货全球首款1γ制程LPDDR5X!两项行业之最

    6月4日消息,美光宣布,已开始出货全球首款基于1γ制程节点的LPDDR5X内存样品,旨在提升旗舰智能手机的AI性能。 1γ制程是第六代10nm级别DRAM工艺,其特征尺寸约为11到12纳米,通常在韩国半…

    06/04
  • 美光英睿达主流级 PCIe 5.0 固态硬盘 P510 上市,1TB 版 999 元

    5 月 30 日消息,美光旗下消费级品牌英睿达在今年初的 CES 上公布了主流级 PCIe 5.0 固态硬盘P510,当时的表述是将从春季开始全球上市。 不过,P510 由于一系列原因遭遇了不可预…

    05/30
  • 顺序突破 30GB/s,美光联手 Astera 展示最新 PCIe 6.0 SSD 样品

    5 月 27 日消息,美光此前曾两次公布过其 PCIe 6.0×4 固态硬盘样品的性能表现,顺序读取速率分别达到 26 GB/s 和27.14 GB/s。 ▲ 图源 Tom's Hardware …

    05/27
  • 消息称美光与力成达成协议,外包 HBM2 封装以专注先进 HBM 制造

    5 月 26 日消息,台媒《经济日报》昨晚援引业界消息报道称,美光已同台湾地区集成电路力成封装测试服务厂商力成科技(Powertech, PTI) 敲定 HBM2 内存的独家封装订单外包协议。 H…

    05/26
  • 消息称美光与力成达成协议,外包 HBM2 封装以专注先进 HBM 制造

    5 月 26 日消息,台媒《经济日报》昨晚援引业界消息报道称,美光已同台湾地区集成电路力成封装测试服务厂商力成科技(Powertech, PTI) 敲定 HBM2 内存的独家封装订单外包协议。 H…

    05/26
  • 三星美光齐减产,闪存价格反弹超预期

    5 月 20 日消息,工商时报今天(5 月 20 日)发布博文,报道称三星、SK 海力士、美光、铠侠和西部数据全球五大 NAND闪存原厂计划 2025 年上半年集体启动减产计划,减产幅度达 10%…

    05/20
  • 消息称美光加速 HBM 内存 TC 键合设备采购,推动 HBM3E 扩产

    4 月 14 日消息,《韩联社》当地时间昨日报道称,美光正在加速采购韩国半导体设备厂商韩美半导体(HANMISemiconductor)所产 TC 键合设备,为 12Hi HBM3E 的扩展建立设…

    05/16
  • 谷歌放弃三星HBM3E,改用美光提供的解决方案

    谷歌原打算在Ironwood上使用三星的HBM3E,但是现在已经通过联发科,改成美光提供的解决方案。美光推出HBM3E的时间也比SK海力士要晚一些,但是现在已经开始向英伟达等行业巨头供货了,而三星依然很挣扎。…

    05/16
  • 韩媒:中国DRAM芯片扩产68%,今年超过美光,达到SK海力士50%

    而国内主营DRAM内存的厂商,就是长鑫存储,成立于成立于2017年,至今也不过是7年多的时间。 想想7年前,国产的DRAM存储芯片的份额还为零,7年之后,我们已经拿下了8-10%左右的份额,而到2025年则…

    05/16
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