英诺赛科在核心技术和关键工艺方面的前瞻性战略及突破，使得公司的8英寸硅基氮化镓晶圆，相比传统6英寸晶圆，晶粒产出提升80%，成本降低30%，体现了其在成本控制与生产效率上的绝对优势；此外，公司率先拓展氮化镓…
按折算氮化镓分立器件出货量统计，公司于2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市占率达42.4%。 分析人士指出，随着英诺赛科加码技术研发，持续拓宽新能源汽车、数据中心等极具增长潜力的市场应用场景，公…
2024 年 3 月 14 日，英飞凌就英诺赛科侵犯英飞凌的一项与 GaN相关的美国专利向美国加利福尼亚北区地方法院提起了初始诉讼，寻求永久禁令； 2024 年 6 月 12 日，德国慕尼黑地方法院发…
在电机驱动应用中，ISG3202LA的高开关频率特性，一方面能够减小输入电压电流纹波，减小输入电容容值，进而缩小驱动器体积;另一方面，也能减小输出电流谐波，减小电机震动和噪声的同时提升系统效率。 英诺赛科开…
另外，另一竞对美国英飞凌（infineon）公司在今年3月13日发布消息称，其子公司英飞凌科技奥地利股份有限公司将对英诺赛科和英诺赛科美国公司及其附属子公司提起专利侵权诉讼。 英飞凌方面称，英诺赛科侵犯英飞…
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