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  • HBM,要崩盘?

    近日,分析机构对HBM发出了警告。

    07/19
  • 韩美半导体董事长郭东信:HBM 4/5 内存导入混合键合犹杀鸡用牛刀

    IT之家 7 月 16 日消息,韩国半导体设备企业韩美半导体 (HANMI Semiconductor) 董事长郭东信当地时间昨日表示,在HBM 4/5 世代就为 HBM 内存导入混合键合工艺犹如杀鸡用牛刀…

    07/16
  • 韩美半导体董事长郭东信:HBM 4/5 内存导入混合键合犹杀鸡用牛刀

    07/16
  • 传LG电子研发HBM混合键合设备 瞄准AI芯片关键技术

    07/14
  • 消息称LG启动混合键合机开发,追逐未来HBM内存制造关键技术

    混合键合未来将成为16+层堆叠HBM内存堆栈构建的关键技术。

    07/14
  • 消息称 LG 启动混合键合机开发,追逐未来 HBM 内存制造关键技术

    07/14
  • 三星失速、SK海力士快跑,存储厂商激战HBM4,吹响定制化号角

    07/11
  • 芯栋微:打造国产半导体电镀设备自主生态,助力HBM技术降本增效

    07/11
  • 三星向博通供应HBM3E芯片:认证测试结果令人满意

    06/18
  • 美光宣布在美投资增至2000亿美元,加建晶圆厂和HBM封装设施

    月 13 日消息,美光当地时间昨日宣布将在美国的投资从此前宣布的 1250 亿美元扩大至 2000 亿美元(IT之家注:现汇率约合 1.44万亿元人民币),包括额外 250 亿美元的内存制造投资和单独 50…

    06/13
  • 从 HBM4 直到 HBM8,韩 KAIST Teralab 公布 HBM 介绍长期路线图

    目前的 HBM 都是 1 个 Base Die 对应 1 个 DRAM 堆栈的单塔结构,而到 HBM6 有望以单一大型 Base Die 配套2 个 DRAM 堆栈,形成双塔的物理造型;同时 NMC 单元…

    06/13
  • 美光将HBM4送样给多家主要客户 拉近与SK海力士技术差距

    美光科技宣布,已将12层堆叠36GB HBM4送样给多家主要客户,也是继SK海力士后第二家宣布出货HBM4的业者,显现双方技术差距步逐步拉近。美光HBM4记忆体具有2048位元界面,每个记忆体堆叠的传输速率超…

    06/12
  • 三星未通过英伟达第3次HBM3E认证 计划9月重新认证

    三星电子6月进行的第3次英伟达12层HBM3E产品认证未获通过,下一次认证定于9月进行。美光已将HBM3E的良率提高到70%以上。…

    06/12
  • 美光宣布向多个关键客户出样 HBM4 12Hi 36GB 内存

    6 月 10 日消息,美光美国爱达荷州博伊西当地时间今日宣布向多个关键客户交付其 HBM4 36GB 12Hi 内存样品。获悉,美光的 HBM4 36GB 12Hi 基于其成熟的 1ß 工…

    06/10
  • 消息称 I/O 翻倍影响 HBM4 DRAM Die 面积,12Hi 堆栈超 600 美元

    6 月 10 日消息,韩媒 the bell 当地时间昨日报道称,由于 HBM4 内存的 I/O 数量较此前产品翻倍至 2048,在HBM4 DRAM 上沿用 1b 工艺的 SK 海力士和美光不得…

    06/10
  • 紫光国微:面向特种行业应用的HBM产品处于研发阶段

    6月9日消息,有投资者在互动平台向紫光国微提问:你好,贵司HBM产品目前研发处于什么阶段? 是否已经开始批量生产。 公司回答表示:您好!目前公司面向特种行业应用的HBM产品还处于研发阶段,后续将根据用户…

    06/09
  • 三星等来坏消息!HBM3E内存仍未通过NVIDIA认证:要推迟到Q4

    6月6日消息,据报道,三星的HBM3E 12层内存仍未通过NVIDIA的认证,其认证时间可能再次被推迟到2025年第四季度。 这一延迟可能会对三星的市场布局产生不利影响,由于NVIDIA是HBM3E内存…

    06/06
  • 英特尔介绍多项封装技术突破,包括用于HBM4和UCIe的EMIB-T先进封装

    英特尔在服务器和消费产品中都采用了热压粘合技术,现在还开发出一种专门针对大型封装基板的新型热压粘合工艺,有助于克服粘合过程中的芯片和基板翘曲,可最大限度地减少了键合过程中封装基板和芯片之间的热差,从而提高了…

    06/04
  • 容量翻倍耗电减少40%!Intel力拼2027年打造HBM内存替代方案

    快科技6月2日消息,据媒体报道,Intel将与软银合作,共同开发一种可取代HBM内存的堆叠式DRAM解决方案。 双方成立了一家名为“Saimemory”的新公司,将基于英特尔的技术和东京大学等日本学术界的专利…

    06/02
  • 消息称 SK 海力士计划十月量产 12Hi HBM4,同步英伟达 GPU 节奏

    5 月 28 日消息,韩媒 MToday 报道称,SK 海力士计划今年十月开始正式量产 HBM 高带宽内存的最新迭代版本 12HiHBM4,而这一生产策略是因应英伟达计划明年推出的 "Rubin"…

    05/28
  • 消息称美光与力成达成协议,外包 HBM2 封装以专注先进 HBM 制造

    5 月 26 日消息,台媒《经济日报》昨晚援引业界消息报道称,美光已同台湾地区集成电路力成封装测试服务厂商力成科技(Powertech, PTI) 敲定 HBM2 内存的独家封装订单外包协议。 H…

    05/26
  • 消息称美光与力成达成协议,外包 HBM2 封装以专注先进 HBM 制造

    5 月 26 日消息,台媒《经济日报》昨晚援引业界消息报道称,美光已同台湾地区集成电路力成封装测试服务厂商力成科技(Powertech, PTI) 敲定 HBM2 内存的独家封装订单外包协议。 H…

    05/26
  • 消息称苹果 20 周年纪念版 iPhone有望引入Mobile HBM 内存技术

    目前,这种技术主要应用于人工智能服务器,因其能够与图形处理单元(GPU)协同支持人工智能处理,也被称作“AI 内存”。此外,这种技术在像iPhone 这样轻薄的设备中可能会面临散热问题,其 3D 堆叠和 T…

    05/16
  • 英特尔 EMIB-T 为 HBM4 优化,2028 年单封装有望含超 24 颗 HBM

    4 月 30 日消息,综合英特尔官方演讲内容和德媒 Hardwareluxx 编辑 Andreas Schilling拍摄的现场照片,2025 Intel Foundry Direct Conne…

    05/16
  • 曝20周年版iPhone首发HBM内存:性能最激进的苹果手机

    5月15日消息,据媒体报道,苹果正在为20周年iPhone研发多项创新技术,其中HBM内存被视为关键发展方向之一。 据悉,HMB全称是HighBandwidth Memory,中文名为“高带宽内存”,这是一…

    05/16
  • HBM4 时代内存巨头加速混合键合技术导入,产品最快明年亮相

    月 8 日消息,韩媒《朝鲜日报》在当地时间昨日的报道中表示,两大韩系 DRAM 内存原厂三星电子和 SK海力士都正在考虑将混合键合技术引入下一代 HBM 内存 —— HBM4 中。 消息人士透露,三星电子预…

    05/16
  • 传三星与英伟达及博通谈判,或2026H1推出定制HBM4

    据TrendForce报道,三星正在与多个客户密切合作,开发定制HBM4和HBM4E解决方案,其中包括了英伟达、博通和谷歌等科技巨头。其中HBM4产品最快在2025年下半年量产,2026年上半年开始发货,如…

    05/16
  • 消息称美光加速 HBM 内存 TC 键合设备采购,推动 HBM3E 扩产

    4 月 14 日消息,《韩联社》当地时间昨日报道称,美光正在加速采购韩国半导体设备厂商韩美半导体(HANMISemiconductor)所产 TC 键合设备,为 12Hi HBM3E 的扩展建立设…

    05/16
  • 消息称 SK 海力士拆分 HBM 封装产品开发团队,标准、定制并行

    4 月 14 日消息,韩媒 MK(《每日经济》)当地时间 12 日报道称,SK 海力士近期调整了其 HBM内存开发组织的架构,将标准和定制 HBM 的封装产品开发团队一分为二。 获悉,SK…

    05/16
  • 谷歌放弃三星HBM3E,改用美光提供的解决方案

    谷歌原打算在Ironwood上使用三星的HBM3E,但是现在已经通过联发科,改成美光提供的解决方案。美光推出HBM3E的时间也比SK海力士要晚一些,但是现在已经开始向英伟达等行业巨头供货了,而三星依然很挣扎。…

    05/16
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