SK海力士近日宣布，全球首次量产12层堆叠的HBM(高带宽内存)3E芯片，创下现有HBM产品最大容量记录，达到36GB。与8层产品相比，12层HBM3E芯片在保持相同厚度的前提下，将存储容量提升了50%。这一成就得益于SK海力士在DRAM芯片制造工艺上的突破，将芯片厚度减少40%，并采用硅通孔(TSV)技术实现垂直堆叠。

在堆叠更多变薄芯片的过程中，SK海力士还成功解决了结构性问题。公司运用其核心的先进MR-MUF工艺，提升了产品的散热性能10%，并有效控制了翘曲问题，确保了产品的稳定性和可靠性。

12层HBM3E芯片在速度、容量和稳定性等方面均达到业界顶尖水平。其运行速度可达9.6Gbps，适用于运行大型语言模型，如Llama 3 70B，每秒可读取35次700亿个参数。

自2013年推出第一代HBM以来，SK海力士一直是唯一一家全面开发和供应全系列HBM产品的企业。此次12层HBM3E芯片的量产，不仅满足了人工智能企业的需求，也进一步巩固了SK海力士在AI存储器市场的领导地位。

得益于这一重大技术突破，SK海力士在韩国市场的股价上涨超过8%，市值达到120.34万亿韩元(约合6351.55亿元人民币)，显示出市场对该公司前景的积极预期。