毫不客气的说，目前在所有的芯片制造设备中，光刻机是最重要的设备，没有之一。同时也是中国最被卡脖子的设备，没有之一。

为何这么说，因为目前全球光刻机厂商，仅4家企业能制造，且被ASML垄断，特别是EUV、浸润式DUV这些高端光刻机，完全是ASML说了算。

当然，光刻机的技术，也是不断演进的，并且是和工艺对应的。

如下图所示，这是目前光刻机的发展趋势，和相对应的代数，第一代是G线，第二代是I线，再是KrF、ArF、ArFi、EUV这么6代。

第一代光刻机，对应着不同的芯片制造工艺，比如EUV光刻机，用于7nm芯片以下，浸润式DUV，最高能到7nm……

那到问题就来了，国产光刻机，达到了什么水平？

上海微电子的光刻机，在其官网上是有公开的，之前公开的是一台分辨率为90nm的光刻机，属于ArF，也就是第四代，采用193nnm波长的光源，干式DUV光刻机。

而前段时间，国家权威机构，又公布了另外一台国产光刻机，分辨率是65nm，套刻精度是8nm，这个还是一台ArF光刻机，也是干式DUV光刻机。

从这台光刻机，我们可以判断出，其实国产光刻机，虽然还是落后ASML10多年，但是离浸润式DUV光刻机，其实只差最后一步了。

从上面的技术演进图其实也可以看到，ArF最高能够支持到65nm工艺，而这台国产光刻机，分辨率就是65nm，很明显就是贴近极限值的。

另外，浸润式DUV,和干式DUV，其中最大的区别，就是在晶圆前面，加了一层介质水。

干式DUV采用的是空气作为光线传播的介质，浸润式DUV采用的是水来做光线传播的介质，而光线在水中产生折射，193nm波长的光源，折射后等效成13nm了，波长更短，于是分辨率更高了。

所以干式DUV（ArF）和浸润式DUV（ArFi）的区别，只是在工作台上面，加了一层浸润式系统，也就是一层水，其它的是共用的，而浸润式系统的技术难度，并不是特别高。

所以这台国产65nm的光刻机，其实已经是干式DUV的极限了，也是ArFi（浸润式DUV光刻机）之前的最后一台，接下来只要攻克了浸润式系统，就进入了浸润式光刻机。

所以说，接下来，不出意外的话，国产光刻机，将很快跨进浸润式阶段，一旦进入浸润式光刻机，那么利用它，可以实现7nm芯片的全部自给，对外依赖程度将大大降低。

到时候不管是ASML，还是美国，想要卡我们芯片产业的脖子，也就越来越难了，因为浸润式光刻机，如果发挥出极限，不仅仅是7nm芯片制造，5nm也是有可能的。