一汽红旗宣布，其研发总院新能源开发院功率电子开发部主导设计的首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功。这款器件在解决用户充电焦虑和里程焦虑问题上发挥了重要作用，并为未来适应“千伏”以上高压架构奠定了坚实基础。

该功率器件搭载国产1700V车规级超高压碳化硅芯片，采用高介电强度封装材料、高耐压封装结构等技术，经过测试，器件工作的最高母线电压可达1200V。相关产品与技术可帮助补能系统向超高压平台升级，从而缩短充电时间。

此外，该碳化硅功率器件结合了高密度元胞并联和短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联和高耐温银烧结工艺等技术，在超高压平台下可发挥低损耗与高电流输出综合性能优势，提升动力系统的功率密度和效率，节约整车电耗，并提高续驶里程。

然而一汽红旗尚未公布该器件的量产搭载时间。我们将密切关注后续商用进展。