与传统硅基存储器不同，新型存储器采用带负电荷的氧原子来存储信息。这一创新使得存储器在高温环境下仍能保持信息稳定，而不会像传统半导体那样因高温导致信息丢失。

研究团队已成功制造出一个可存储一位数据的设备，与其他高温计算机内存演示相当。未来，在更多开发和投资的推动下，这种设备理论上可存储兆字节或千兆字节的数据。

目前，新信息只能在高于250°C的温度下写入该设备。但研究人员表示，通过使用加热器，有望实现在较低温度下写入信息，从而提高设备的适用性。这种耐高温存储器的解决方案在节能方面优于铁电存储器或多晶铂电极纳米间隙等替代存储器设计。

这项研究由密歇根大学材料科学与工程助理教授Yiyang Li领导，并与桑迪亚国家实验室的研究人员合作完成。相关成果已发表在《Device》杂志上。