近日，注意到，有日媒报道称， 日本冲绳科学技术大学院大学开发出一项技术，旨在显著减少制造尖端半导体所必需的极紫外线（EUV）光刻设备的能耗与制造成本。该创新成果由该校新竹积教授领衔研发，其核心在于将EUV光刻路径中的反光镜数量从传统的10个精简至4个，从而有效降低了EUV光源的能量损耗。

当前，全球EUV光刻设备市场主要由荷兰ASML公司垄断，其设备通过复杂的10镜反射系统实现EUV光到晶圆的高精度转印，但过程中EUV能量损失严重，仅约1%最终抵达晶圆。相比之下，新技术通过减少反光镜数量至4个，显著提升了能量传输效率，使得超过10%的EUV能量能够直接作用于晶圆，整体耗电量因此降低至原设备的约十分之一。

此外，新技术还简化了设备结构，预期能够大幅降低设备的制造成本，估计原本约200亿日元的设备引入费用有望减半。为验证这一技术的可行性与效果，冲绳科学技术大学院大学计划首先使用发光二极管（LED）在缩小至实际设备二分之一大小的模型上进行初步测试，随后自2025年起转用EUV光源进行深入验证。

新竹积教授表示期望与企业界携手合作，力争最早在2026年成功研发并推出首台采用该新技术的EUV光刻设备。