9月5日,为提升性能,英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中,计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料,由硅换成碳化硅(SiC)。
目前台积电邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造技术,英伟达第一代Rubin GPU仍会采用硅中间基板。
但由于英伟达对性能进步的要求极高,当芯片内产生的热超过极限,就必须采用碳化硅,最晚2027年,碳化硅就会进入先进封装。 (台湾财讯双周刊)
9月5日,为提升性能,英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中,计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料,由硅换成碳化硅(SiC)。
目前台积电邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造技术,英伟达第一代Rubin GPU仍会采用硅中间基板。
但由于英伟达对性能进步的要求极高,当芯片内产生的热超过极限,就必须采用碳化硅,最晚2027年,碳化硅就会进入先进封装。 (台湾财讯双周刊)
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