近日，在2025集成电路（无锡）创新发展大会上，无锡市政府宣布启动两项半导体材料领域重大突破性项目，标志着中国在EUV光刻胶核心技术领域取得关键进展，有望打破国外长期垄断。

全国首个MOR型光刻胶创新平台落地无锡

大会宣布，"无锡先进制程半导体纳米级光刻胶中试线"正式启动建设。作为全国首个掌握MOR型光刻胶核心原材料、配方及应用技术的创新平台，该项目研发生产的光刻胶将直接对标世界一流水准，填补国内在EUV光刻胶领域的空白。

MOR型光刻胶（金属氧化物光阻剂）是专为EUV时代设计的新一代光刻材料，将逐步取代目前DUV光刻胶广泛使用的CAR化学增幅型光阻剂。作为提高光刻分辨率、缩小栅极距、降低缺陷率的关键材料，MOR型光刻胶对实现5nm以下先进工艺制程至关重要。

连续流技术实现光刻胶树脂合成突破

与此同时，"江苏（集萃）光刻胶树脂合成中试线"作为全国唯一采用连续流技术制备光刻胶树脂的研发平台同步启动。该平台首创了高分子稳定合成的聚合装备与工艺，为光刻胶生产提供了关键原材料保障，形成了完整的技术链条。

战略意义：突破"卡脖子"技术，保障产业链安全

EUV光刻胶不仅是制造5nm以下先进工艺芯片的核心材料，也是DRAM内存工艺向EUV时代演进的关键支撑。尽管目前NAND闪存尚未全面采用EUV工艺，但未来要进一步提升存储密度，EUV技术同样是必由之路。

业内专家指出，无锡此次启动的两个项目，不仅解决了EUV光刻胶"卡脖子"问题，更构建了从原材料合成到配方应用的全产业链技术能力，为中国半导体产业自主可控提供了关键支撑。随着Intel Panther Lake与AMD Medusa Point等新一代处理器对EUV工艺的依赖加深，这一技术突破的战略价值将进一步凸显。

无锡市政府表示，将持续加大对半导体材料领域的研发投入，力争在三年内实现EUV光刻胶的产业化，为中国半导体产业高质量发展注入新动能。（Suky）