8 月 19 日消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，SK 海力士 EUV 材料技术人员当地时间本月 12 日出席技术会议时向媒体表示，该企业计划于 2026 年首次导入 ASML 的 High NA EUV 光刻机。

SK 海力士的一位工程师表示该公司新近成立了一个 High NA EUV 研发团队，正致力于将 High NA EUV 光刻技术应用到最先进 DRAM 内存的生产上。

▲ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻机

综合已有报道，在几大先进逻辑制程与存储半导体企业中，英特尔率先拿下了全球第一台商用 High NA EUV 光刻机，其第二台 High NA 机台也已在运至俄勒冈州研发晶圆厂的途中。

而台积电和三星电子两家企业用于研发目的的首台 High NA EUV 光刻机也分别有望于 2024 年内、2024 年四季度至 2025 年一季度交付。