IT之家 10 月 15 日消息，消息源 @Jukanlosreve 今天（10 月 15 日）在 X 平台发布推文，报道称在 2025 年 OCP 全球峰会上，三星电子宣布已加速其下一代 HBM4E 高带宽内存的研发进程，旨在满足英伟达未来 Rubin AI GPU 的严苛需求。

根据公布的计划，三星 HBM4E 的单引脚数据传输速率将至少达到 13Gbps，配合 2048 个数据 I/O 引脚，可实现最高每秒 3.25TB 的惊人内存带宽。这一性能指标不仅远超 JEDEC 为 HBM4 制定的 8Gbps 标准，更预示着 AI 计算能力将迎来新的飞跃。IT之家附上截图如下：

此次性能目标的激进提升，主要源于其关键客户英伟达对更高带宽的迫切需求。为配合其下一代“Vera Rubin”架构的 AI GPU，英伟达已向三星、SK 海力士等内存制造商明确要求，HBM4 的单引脚速度需超过 10Gbps。

面对这一挑战，三星率先响应并提出了 13Gbps 的更高目标，计划在 2027 年将这款高性能内存投入大规模生产。

与现有的 HBM3E 内存相比，三星 HBM4E 的提升是全方位的。除了总带宽实现了超过 2.5 倍的巨大飞跃外，其能源效率也提升了超过两倍。