11月12日，据《朝鲜日报》报道，全球NAND闪存制造商包括三星电子、SK海力士、Kioxia（铠侠）和Micron（美光）在内，今年下半年同时减少NAND闪存的供应。分析显示，虽然供应调整旨在推动价格上涨，但随着它们将生产设施转型为四层级单元（QLC）工艺，生产损失是不可避免的。这种工艺正受到围绕AI数据中心的激增需求的推动。

与此同时，三星电子，SK海力士，和Kioxia（铠侠）正在推动提高NAND价格。特别值得一提的是，据报道，三星电子正在考虑内部涨价超过20-30%，同时与主要海外客户讨论明年的NAND供应量。

根据市场研究机构Omdia发布的NAND闪存年度产量数据，三星电子将今年的NAND晶圆产量目标下调至472万片，比上一年的507万片减少约7%。铠侠还将产量从去年的480万片减少到今年的469万片。Omdia观察到，三星电子和铠侠的减产趋势预计将持续到明年。

SK海力士的NAND产量从去年的201万片下降到今年的180万片，下降了约10%。美光保持保守的供应政策，将其最大的NAND生产基地新加坡 Fab 7 的产量保持在30万片左右。

随着主要供应商同步调整产量，NAND产品的平均售价大幅上涨。海外市场研究公司观察，NAND价格仅上一季度就上涨了15%，未来可能再上涨40%-50%。据TrendForce统计，市场应用最广泛的512Gb TLC NAND芯片现货价格较前一周上涨14.2%至5.51美元。

基于TLC的NAND供应短缺也意味着主要NAND供应商正在专注于利润率更高的QLC而非TLC。由于QLC在同一区域内可以比TLC多30%的容量，因此有利于制造AI数据中心必需的大容量SSD。

一位半导体行业人士解释说：“在向QLC过渡期间，一部分基于TLC的NAND生产线将会关停，这导致四大供应商的产量自然出现下滑。“通常情况下，设施和工艺过渡期间的生产‘损失’会导致市场价格急剧上涨。”

与此同时，长期与供应过剩作斗争的三星电子和SK海力士也在NAND价格上涨的迹象下采取行动，以最大限度地提高盈利能力。早些时候，据报道，总部位于美国的闪迪（SNDK.US）从本月开始将 NAND 产品的合同价格提高了约50%。还有分析表明，由于北美大型科技企业担心NAND价格飙升，已开始抢购库存，预计明年NAND供应量将告罄。