A股三大指数早盘集体上涨，截至午间收盘，沪指涨0.84%报4116.77点，深成指涨1.67%，创业板指涨2.43%，北证50指数涨1.08%。沪深京三市半日成交额15617亿元，较上日缩量931亿元，全市场超4500只个股上涨。

半导体板块走强，科创芯片设计领涨，科创芯片设计ETF易方达、科创芯片设计ETF广发、科创芯片设计ETF涨超3%，科创芯片设计ETF天弘、科创芯片设计ETF鹏华涨超2%。

 科创芯片设计ETF跟踪上证科创板芯片设计主题指数，囊括50家科创板芯片龙头企业，其中数字芯片设计占比77.1%，模拟芯片设计占比17.2%，权重股包括海光信息、澜起科技、寒武纪-U、东芯股份、佰维存储等龙头公司。

消息面上，存储芯片价格继续大涨，三星电子一季度DRAM价格涨幅最终敲定在100%以上，较一个月前谈判的70%水平再度扩大约30个百分点。SK海力士与美光跟进同等涨幅，涨势预计延续至二季度。

部分公司发布业绩预告。佰维存储日前公告称，预计2026年1-2月实现营业收入40亿元-45亿元，同比增长340%-395%；归属于上市公司股东的净利润为15亿元-18亿元，同比扭亏为盈。 另外，据TrendForce最新调查，2025年第四季全球NAND闪存前五大品牌厂商营收合计大幅季增23.8%，达211.7亿美元。展望2026年第一季，TrendForce已将整体NAND闪存价格预估上调至季增85%至90%，营收水平有望再度成长。

沐曦股份公告称，预计2026年第一季度归属于上市公司股东的净利润亏损9075.72万元至1.82亿元，同比亏损收窄。报告期内，公司在坚持技术创新驱动、持续加大研发投入的同时，深化市场开拓，稳步提升在高性能GPU领域的市场地位与行业影响力，积极推进人工智能技术与各行业深度融合。受益于人工智能产业的高速发展，依托优异的产品性能与完善的软件生态，公司产品与服务获得下游客户广泛认可，业务规模较上年同期实现显著增长。

东吴证券指出，看好存储&先进逻辑扩产，设备商国产化迎新机遇：

AI驱动先进逻辑与存储扩产，资本开支进入新一轮上行周期。在AI算力需求爆发背景下，全球半导体设备市场规模持续创新高。先进逻辑端，FinFET向GAA/CFET演进，5nm及以下制程单位产能设备投资额显著提升，单万片/月产能投资额较28nm提升数倍；存储端，HBM带动DRAM高阶制程升级，3DNAND向400层以上堆叠演进，单万片产能投资额同步提升。中国大陆晶圆产能全球占比仍低于销售占比，逻辑与存储龙头资本开支维持高位，叠加两大存储厂商上市融资在即，扩产动能具备持续性，支撑前道设备景气度中长期上行。

制程迭代推动设备结构升级，刻蚀与薄膜沉积价值量提升。先进制程结构复杂化带动图形化环节投资强度提升。逻辑端GAA结构、存储端高层数3D堆叠，对高深宽比刻蚀（HAR）、高选择比刻蚀（ALE）以及ALD等原子级沉积技术提出更高要求。刻蚀与薄膜沉积在前道设备中的价值占比位居前三，且随制程演进呈提升趋势。多重曝光、先进金属材料替代及新型结构引入，使设备数量与工艺复杂度同步提升，设备投资呈现“技术节点越先进、单位投资越高”的乘数效应，核心平台型设备商与细分龙头有望持续受益。

外部制裁强化自主可控逻辑，国产替代进入加速阶段。美国、荷兰、日本持续强化对14nm及以下先进制程设备出口限制，中国大陆作为全球最大设备需求市场，进口依赖度较高的涂胶显影、清洗、量检测、光刻等环节国产化率仍低于25%。在政策支持与大基金三期落地背景下，国内晶圆厂扩产将更加倾向国产设备采购。测算显示半导体设备整体国产化率已由2017年的13%提升至2024年的20%，预计2025年达22%，仍具备广阔提升空间。平台型厂商覆盖面扩大、技术持续突破，将在先进制程与先进封装领域获得更大份额。