3月10日，据韩联社报道，韩国存储巨头SK海力士全球率先研制出第六代10纳米级同步动态随机存取存储器（DRAM）。

SK海力士10日表示，公司采用第六代10纳米级DRAM技术（1c工艺），成功研制16千兆位（Gb）第六代低功耗双倍数据速率（LPDDR6）DRAM。SK海力士曾于1月在美国举行的2026年国际消费电子展（CES 2026）上推介该产品，并于近期获得研发认证。公司表示，争取在上半年内完成量产准备工作，并从下半年起开始供货。

基于1c工艺的LPDDR6产品将主要搭载于采用端侧人工智能（On-device AI）技术的智能手机、平板电脑等移动产品。与前款LPDDR5X相比，LPDDR6的数据速率提升33%，能耗降低20%以上。