3月24日,据萧山发布消息,从浙大杭州国际科创中心(以下简称“科创中心”)了解到,依托科创中心自主孵育的科学公司杭州镓仁半导体有限公司,团队成功实现高质量8英寸氧化镓同质外延生长,在全球范围内尚属首次。
经权威检测:该8英寸氧化镓外延片平均厚度达13.05微米,厚度均匀性优异,表明外延生长过程具有良好的可控性与一致性。
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3月24日,据萧山发布消息,从浙大杭州国际科创中心(以下简称“科创中心”)了解到,依托科创中心自主孵育的科学公司杭州镓仁半导体有限公司,团队成功实现高质量8英寸氧化镓同质外延生长,在全球范围内尚属首次。
经权威检测:该8英寸氧化镓外延片平均厚度达13.05微米,厚度均匀性优异,表明外延生长过程具有良好的可控性与一致性。
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