格隆汇3月24日丨 普达特科技(00650.HK)公布，公司一台12英寸LPCVD炉管设备成功通过客户验收，该设备应用于LP -Si N薄膜沉积工艺。此外，另一台12英寸ALD炉管设备在客户端处于验证过程中，该设备应用于ALD -Si N╱ALD -Si CN薄膜沉积工艺，兼容Thermal╱Plasma模式。

公司先进半导体炉管设备产品线，拥有Galilee-LP与Galilee-ALD两大设备平台，致力于服务12英寸逻辑制程、DRAM、3D NAND领域，应用覆盖65 nm ~ 7nm先进节点的关键薄膜沉积工艺，可沉积Si N、Poly、TEOS等多种系列膜层材料，该类设备市场主要由海外供应商占据，国产化率极低。公司的该等设备可实现更高的填充深宽比、均匀性、台阶覆盖率与更低的污染，在先进性能指标达到国际标准的同时，拥有更高的批次生产效率，且具备多种工艺选择的兼容性。特别地，在先进应用开发方面，公司已完成开发用于14 / 7nm节点的Low-K ALD Si OCN炉管设备，用于满足大规模集成电路对高性能绝缘层的需求，目前该设备仍由海外设备商垄断。

此外，公司半导体单片清洗设备亦持续扩大客户基础与量产经验。自2025年10月至今，已有五台6至12英寸CUBE单片清洗设备成功于多家高质量客户处通过 验收 ，应 用于 Si C ╱ 功率 器件 ╱ 数模 混合 芯片 等领 域， 其 中两 台设 备为 重复 订单。该设备针对背面清洗与蚀刻工艺，具备超薄晶圆的处理能力、业界领先的伯努利传输与晶圆边缘管控技术，同时通过架构创新，为客户提供行业领先的生产力。据董事会经作出一切合理查询後所深知、尽悉及确信，于公告日期，上述客户及其最终实益拥有人为独立于公司及其关联人士的第三方。

未来，公司将继续完成半导体先进炉管设备与清洗设备的交付与验收，持续扩大高质量客户基础，并充分发挥公司技术优势，推动先进半导体设备国产化取得进一步突破。