3月30日，三星电子已完成西安工厂工艺升级的第一阶段，逐步淘汰了传统的128层（V6）NAND闪存，并已开始量产236层（V8）产品。目前，三星电子正在筹划进一步的升级，预计将于今年完成向286层（V9）NAND闪存的过渡。（财联社）
三星电子开始量产236层NAND闪存
IP属地 中国·北京 编辑：任飞扬 鞭牛市 时间：2026-03-30 22:54:49
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