A股三大指数早盘涨跌不一，截止午间收盘，沪指涨0.03%报3881.17点，深证成指跌0.2%，创业板指跌0.46%，北证50跌0.06%。全市场成交额10779亿元，较上日成交额缩量10亿元，超3600股上涨。

存储芯片概念股集体走强，科创芯片设计ETF浦银、科创芯片设计ETF天弘、科创芯片设计ETF广发、科创芯片设计ETF鹏华、科创芯片设计ETF国联安、科创芯片设计ETF易方达、科创芯片设计ETF国泰涨超2%。

科创芯片设计ETF跟踪上证科创板芯片设计主题指数，指数成分股涵盖50家科创板芯片设计龙头企业，芯片设计行业占比高达96.1%，“含芯量”突出。

消息面上，三星Q2 DRAM拟提价30%。部分DDR5内存产品的价格较前几个月略有下降，即便如此，DRAM制造商三星仍在与大批量采购方签订利润更为丰厚的采购合同。据报道，三星电子将在第二季度供应的DRAM价格较第一季度上涨约30%，在上月底与主要客户进行价格谈判后已经签订了供应合同，30%是平均价格涨幅，包括高带宽内存(HBM852)和服务器、PC和移动设备等通用DRAM。

英特尔与亚马逊和谷歌洽谈AI芯片封装。媒体援引多位消息人士消息，英特尔、正就其先进封装服务与至少两家大型客户展开持续磋商，其中包括亚马逊和谷歌。人工智能推动了对先进芯片封装的需求，英特尔代工业务负责人纳加.钱德拉塞卡兰表示，封装可能会在未来十年改变人工智能革命。

爱建证券看好存储芯片景气将会持续。2025Q4存储芯片进入新一轮涨价周期。Micron、Samsung、SKHynix三大存储巨头陆续上调DRAM及NANDFlash产品合约价，相关现货价格同步持续上扬。复盘历史周期，2016-2018年的存储芯片涨价由智能手机配置升级直接驱动；2020-2023年受益于线上经济、居家办公场景拉动PC等终端出货量提升，叠加疫情下产业链囤货需求，推动存储市场阶段性上行。与此前存储周期依赖单一驱动逻辑不同，2024年开启的第三轮存储周期，呈现出云厂商资本开支加码催生AI服务器需求爆发、智能手机配置持续升级等多因素共振驱动的多元特征。总结历史规律，我们发现iPhone内存容量平均2-4年完成一次迭代升级；存储容量每隔4年完成一次升级。iPhone在2025年完成存储容量升级后，我们判断其内存容量有望迎来再次升级。如此密集的持续升级，有望助推全球存储芯片市场涨价周期在2026年延续。

兴业证券指出，据SEMI发布的最新《300mm晶圆厂展望》报告显示，预计2026年全球300mm晶圆厂设备支出将增长18%至1330亿美元，2027年将增长14%至1510亿美元；这一强劲增长反映了数据中心和边缘设备对人工智能芯片的旺盛需求，以及关键地区通过本地化产业生态系统和供应链重覆，日益重视半导体自给自足的趋势；国产设备先进工艺突破与验证持续推进；未来3年，“先进工艺扩产”将成为自主可控主线；此外，CoWoS及HBM卡位AI产业趋势，先进封装重要性凸显。