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4月9日消息，近日，我国在第三代半导体与微显示技术融合创新领域取得重大进展，成功突破异质异构三维集成关键技术瓶颈。苏州汉骅半导体有限公司自主研发的 8 寸硅基氮化镓 LED 外延与无损去硅核心工艺，建成与主流 CMOS 工艺高度兼容的 Micro-LED 标准工艺量产平台。

氮化镓作为第三代半导体核心材料，是 Micro-LED 微显示技术的关键基石。长期以来，氮化镓发光单元与硅基 CMOS 驱动电路的高效集成难题，制约着 AR/VR/MR 等近眼显示产品的规模化商用。此次技术突破，有效打通不同材料体系间的三维异构集成通道，标志着我国 Micro-LED 产业化进程迈出关键一步。

该平台以 “超越摩尔 GaN Plus” 为技术核心，实现氮化镓外延、无损去硅、薄膜集成、CMOS 工艺适配、微显示器件制造全流程贯通，形成以三维集成为核心的平台化工艺能力。工艺参数全面对标 8 寸 CMOS 产线标准，通过自主研发的晶圆级无损去硅技术，完成 8 寸硅片上氮化镓薄膜的完整剥离与精准转移，实现发光阵列与驱动芯片的晶圆级键合协同制造。

目前，平台具备红、蓝、绿多波长发光结构制备能力，可支撑超高像素密度微显示器件研发生产，满足近眼显示、光互联、数字车灯、AI 电源管理等前沿应用需求。（纯钧）