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鼎龙股份(300054.SZ):三类抛光液产品取得重大进展并获得订单

IP属地 中国·北京 编辑:格隆汇 格隆汇 时间:2026-05-07 12:15:48

格隆汇5月6日丨鼎龙股份(300054.SZ)公布,控股子公司—武汉鼎泽新材料技术有限公司,近期在半导体CMP抛光液领域接连取得三项重大进展,分别在大硅片精抛液、氧化铈抛光液、先进封装用TSV抛光液领域实现产品突破并获得客户订单。大硅片精抛液、氧化铈抛光液、先进封装用TSV抛光液领域在国内的市场规模合计超10亿元,目前国产化率极低。公司本次实现多类抛光液产品突破,进一步补齐国内高端CMP抛光液供给短板,更好响应国内多类核心客户端抛光液本土化供应需求。

近期,公司自主研发的大硅片精抛液产品成功通过客户严苛的产品认证,正式获得订单,并已启动批量交付。该产品主要应用于12英寸(300mm)单晶硅晶片制造环节。12英寸单晶硅晶片作为全球集成电路制造的核心基底材料,其表面平坦度、洁净度、粗糙度等指标要求达到原子级精度,对配套抛光液的颗粒均匀性、分散稳定性、材料兼容性、去除速率控制等核心性能均提出了远超常规半导体器件抛光液的技术标准。应用于该领域的抛光液产品长期由国外厂商垄断。

公司凭借多年在CMP抛光液领域的技术积累与工艺沉淀,成功攻克大硅片精抛的核心技术难点,实现该领域产品的国产化破局,进一步完善了公司在半导体硅材料全流程加工的材料布局。本次订单的取得,标志着公司抛光液产品的业务范围,从已有的半导体器件后端加工领域,正式向上游拓展至技术壁垒更高的大尺寸硅片前端制造领域,进一步打开市场空间。

公司自主研发生产的氧化铈CMP抛光液产品,近期成功通过国内龙头存储芯片制造企业的全流程验证,获得客户批量订单,正式进入规模化供应阶段。该产品是3DNAND、DRAM及HBM(高带宽内存)等主流存储器件制造的核心刚需材料,直接应用于浅沟槽隔离(STI)、层间介质(ILD)等关键平坦化工序,是保障多层堆叠结构精度、提升芯片良率与性能的关键耗材。该产品市场长期由国外厂商主导,公司应客户紧急需求,从氧化铈研磨粒子攻坚,再通过配方调试匹配用户需求,仅耗时一年顺利通过客户全流程验证,实现从研磨粒子到抛光液产品的全国产化供应,从底层技术解决客户难题。

当前,全球存储产业正经历结构性变革:3DNAND堆叠层数持续提升,DRAM制程迭代与产品升级加快,HBM作为AI芯片核心存储方案需求快速增长。在上述趋势驱动下,氧化铈抛光液作为存储芯片制造的关键耗材,市场需求有望持续扩容。本次订单落地,是公司综合技术实力获得行业头部客户认可的重要体现,为公司进一步深度绑定存储产业链优质资源、抢占高增长细分市场份额筑牢基础,并有望为公司经营业绩带来持续增量贡献。截至目前,公司已成功实现超纯硅、高纯硅、氧化铝、氧化铈四大系列核心研磨粒子的自主研发与规模化生产,配套抛光液产品全面覆盖半导体制造各关键制程环节。氧化铈抛光液的客户突破与订单落地,补齐了公司在高端CMP抛光液全品类布局中的关键拼图,构建完整且自主可控的研磨粒子技术平台与产品矩阵。

公司自主研发的TSV(硅通孔)抛光液,已顺利通过国内先进封装龙头客户的全流程验证。TSV是2.5D/3D先进封装的核心工艺环节,TSV抛光液是实现硅通孔表面高精度平坦化、保障封装良率的关键材料,具备较高技术壁垒与研发门槛。此前,国内该细分市场参与者相对单一。本次公司TSV抛光液完成客户验证并实现技术产业化突破,进一步丰富了国内高端CMP抛光液供给体系,完善了产业配套选择,助力国内先进封装产业链降低单一供应链依赖,持续推进国产化自主化进程。

本次三款核心抛光液产品同时实现技术突破并斩获订单,是公司长期深耕半导体材料研发、坚持自主创新的重要成果体现,进一步完善了公司CMP抛光液产品矩阵,除已有的逻辑工艺和存储器件以外,新增覆盖大硅片、下一代存储制造与先进封装三大核心赛道,有望显著提升公司在半导体材料领域的核心竞争力、市场地位与盈利能力,为公司培育新的增长引擎。产能方面,公司已具备武汉本部年产5,000吨抛光液生产线、仙桃年产1万吨CMP抛光液及年产1万吨CMP抛光液用配套纳米研磨粒子产线,产能储备充足,产能利用率随市场拓展而逐步提升,为后期快速放量奠定坚实基础。

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