据财闻海外资讯6月11日报道，SK海力士计划于2026年底实现375层3D NAND闪存量产，目前已完成生产验证，并正推进清州M15工厂原有产线改造升级，由原176层、238层、321层产品全面切换至375层产线。

该产品原规划为400层，因超高堆叠工艺难度大而调整为375层，企业已规划后续480层、604层技术路线。本次核心突破为首次在字线金属栅极中引入钼（Mo）材料替代传统钨（W），可降低微缩线路电阻、提升信号传输与读写速率，并省去辅助膜铺设，增强存储密度。

尽管钼工艺需精准控制高温供给，但其优势显著。SK海力士选定东京电子（TEL）炉管模式设备，相较应用材料方案更具成本与效率优势。钼供应方包括空气产品、英特格、默克及SK特种气体（后者正协同空气产品完善交付）。

行业预测，NAND钼用量将快速增长：三星电子去年采购约4吨，今年将达10吨，2027–2030年将依次升至25、40、60、80吨；SK海力士自2027年起大规模导入，初期年用量约4吨。公司聚焦高端扩产以提升单位比特盈利，而非盲目扩张产能。