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IQE与Tower签署多年期磷化铟供应协议 强化光电与高频通讯布局

IP属地 中国·北京 财闻 时间:2026-06-15 18:21:20

6月15日,财闻海外资讯消息,全球化合物半导体晶圆产品与先进材料解决方案供应商IQE plc与高价值类比半导体代工厂Tower Semiconductor今日共同宣布,双方已签署一项多年期磷化铟(Indium Phosphide,简称InP)磊晶圆(epiwafer)供应协议。此项合作旨在强化双方在光电与高频通讯领域的技术布局,透过整合IQE的材料专业技术与Tower的晶圆代工制造能力,共同满足市场对于先进半导体解决方案日益增长的需求。

IQE与Tower的合作核心,聚焦于磷化铟(InP)材料的广泛应用。磷化铟作为一种关键的化合物半导体材料,具备优异的电子迁移率与光学特性,是制造高速光纤通讯元件、雷射二极体(Laser Diodes)及光侦测器(Photodetectors)不可或缺的基础。透过此次签署的多年期供应协议,IQE将成为Tower在磷化铟磊晶圆领域的重要战略供应商,确保Tower在生产高性能光电元件时,能获得稳定且高品质的材料来源,进而提升其在市场上的竞争优势。

随着全球数据中心·5G通讯基础设施以及人工智能技术的快速演进,市场对于高频宽与低延迟传输的需求呈现爆发式成长。此次双方携手合作,不仅是单纯的供应键整合,更象征着两家公司在技术研发层面的深度对接。IQE将利用其在磊晶技术上的领先地位,为Tower提供客制化的磷化铟解决方案,协助其客户在光通讯与感测应用中,实现更高效能的晶片设计,进一步巩固双方在半导体产业链中的关键地位。

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