这种基本物理限制被称为“波尔兹曼暴政”，是挡在现代设备面前的一大阻碍，这无疑限制了其进一步提升性能、以及扩展适用范围的能力，尤其是在当今 AI技术快速发展且需要更快计算能力的背景下。 MIT 博士后、新晶…
MIT 博士后、新晶体管论文的主要作者邵燕杰（YanjieShao）表示，“这项技术有可能取代硅，你可以任意将其用于现有的硅晶体管领域，且效率更高。” 这些晶体管利用量子力学特性，在几平方纳米内同时实现低…
这款晶体管堪称迄今为止最小的3D晶体管，其性能与功能不仅与现有硅基晶体管不相上下，甚至在某些方面还实现了超越。 为了攻克这一难题，麻省理工学院的科研团队独辟蹊径，选用了由锑化镓和砷化铟构成的超薄半导体材料，…
相比之下，当前3nm晶圆的价格大约在1.85万至2万美元之间，4/5nm晶圆的价格约为1.5至1.6万美元。随着新工艺的引入，包括EUV光刻步骤甚至可能采用双重曝光，毫无疑问成本将高于3nm制程节点。据预测，…
据介绍，IBM 7090 诞生于 1959 年，它使用了约 14000 张标准模块化系统卡，每秒能够处理大约 22.9万条指令，它是那个时代的开拓者，也为计算速度设定了新的基准，可以说影响了整个 60 年…
近日，中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料，发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制，并构建了“热发射极”晶体管，得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管，有望用于设计集成度更高、功能更丰…
8 月 15 日消息，据中国科学院金属研究所官方今日消息，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与北京大学的科研团队合作，采用了一种创新思路，通过可控调制热载流子来提高电流密度，发明了一种由石…
a. 转移特性曲线；b. 亚阈值摆幅与电流关系图；c. 亚阈值摆幅性能对比图；d. 转移特性中电流的温度依赖性；e.临界基极偏压与集电极偏压关系图；f. 临界基极偏压与缝隙宽度关系图；g. 发射极电流与基极…
中国科学院上海微系统与信息技术研究所狄增峰研究员团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展，相关成果于北京时间7日深夜发表在国际学术期刊《自然》（Nature）上。 二维半…
2. 稳定性和可靠性的考验铁电材料作为一种新型材料，其稳定性和可靠性也面临着一定的挑战和考验，特别是在实际工程应用中，需要长时间的稳定工作和复杂环境的适应，如何解决铁电材料在工作过程中可能出现的老化、疲劳和…
快科技7月17日消息，现代处理器极少公布核心面积、晶体管数量相关数据，但总能扒出来一些，锐龙9000系列这还没上市就透露出来了，挺有意思的。 锐龙9000系列延续了chiplet布局结构，一两个CCD加一个I…
作为对比，AMD 锐龙 5000 系列“Vermeer”处理器、AMD 锐龙 3000 系列“Matisse”处理器的 cIOD均采用格芯（Global Foundries）的 12 纳米工艺，尺寸为 1…
所以严格的来讲，当进入14nm之后，我们单独的说某一家晶圆厂进入了5nm、3nm并没有太多意义，而是要结合对方工艺的晶体管密度来看，那么谁在搞数字游戏，谁在认真造芯片，就一目了然了。 从上图，大家可以很明显…
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