面对长鑫存储的快速推进，三星电子、SK海力士和美光等传统DRAM巨头正加紧布局更先进的D0a级亚10nm节点，并转向3D DRAM和4F?存储单元架构（通过垂直堆叠晶体管与电容，将单元面积压缩至最小特征尺寸平方的4倍），以保持技术领先。
业界指出，为突破摩尔定律的极限，当半导体制程迈入 1 纳米以下节点时，寻找新材料已成为必然趋势。
三星全球首发3D堆叠逻辑晶体管：42nm栅极间距、密度翻倍
英特尔：Intel 18A-P制程已进入风险试产阶段
台积电揭示A13、预告A12尖端逻辑制程工艺，均将2029年量产
电子工程师的群星闪耀时。
在芯片互连方面，英特尔采用了EMIB-T 2.5D嵌入式桥接技术
三星2nm工艺细节公布：能效提升8% 良品率不足60%
台积电等将受稀土管制新规打击？台湾经济部否认
调查涉及自美进口的通用接口和栅极驱动芯片。
申请人请求对原产于美国的进口相关模拟芯片进行反倾销调查。
复盘一下台积电的崛起之路。
原型制作是半导体生产中的一个重要里程碑。
Rapidus正在开发与其2nm工艺兼容的PDK，计划2026年一季度交付。
10/26 04:15
10/26 03:05
10/26 03:03
10/26 02:10
10/26 02:05
10/26 00:16
10/26 00:15
10/26 00:10
10/26 00:06
京公网安备 11011402013531号