英伟达认为未来整个 AI 加速器复合体将位于大面积先进封装基板之上，采用垂直供电，集成硅光子 I/O 器件，GPU 采用多模块设计，3D 垂直堆叠 DRAM 内存，并在模块内直接整合冷板。

注：Ian Cutress 还提到了硅光子中介层，但相关内容不在其分享的图片中。

在英伟达给出的模型中，每个 AI 加速器复合体包含 4 个 GPU 模块，每个 GPU 模块与 6 个小型 DRAM 内存模块垂直连接并与 3 组硅光子 I/O 器件配对。

硅光子 I/O 可实现超越现有电气 I/O 的带宽与能效表现，是目前先进工艺的重要发展方向；3D 垂直堆叠的 DRAM 内存较目前的 2.5D HBM 方案拥有更低信号传输距离，有益于 I/O 引脚的增加和每引脚速率的提升；垂直集成更多器件导致发热提升，模块整合冷板可提升解热能力。

Ian Cutress 认为这一设想中的 AI 加速器复合体要等到 2028~2030 年乃至更晚才会成为现实：

一方面，由于英伟达 AI GPU 订单庞大，对硅光子器件产能的需求也会很高，只有当英伟达能保障每月 100 万以上硅光子连接时才会转向光学 I/O；

另一方面，垂直芯片堆叠所带来的热效应需要以更先进的材料来解决，届时可能会出现芯片内冷却方案。