众所周知，ASML的EUV光刻机，是全球唯一的。也就是说全球只有它一家企业，能够制造EUV光刻机，芯片厂商们，没有第二个选择。

而EUV光刻机不仅贵，同时更是电老虎。按照之前媒体的报道称，一台输出250W功率的EUV光刻机，一年可能需要耗电3万度，一年就是1000多万度，如果10台就是1亿度，100台就是10亿度……

为何EUV光刻机这么耗电，其根本原因就是其能量转换效率太低，目前ASML的EUV整体能源转换效率只有 0.02% 左右。

一台250W输入功率的EUV光刻机，实际输入功能高达1250KW。

为何这么能量转换效率这么低，主要就是EUV光源获取这里，能量损耗太大了。

ASML这里获取EUV光源，采用的是高功率二氧化碳激光脉冲，功率要超过30KW，其中单个脉冲的峰值功率更可高达数兆瓦，然后照射在直径为30微米的锡滴液靶材上。

在这些光束的持续作用下，持续滴落的锡珠被激发成一个璀璨的等离子体，然后会释放出波长为13.5nm的极紫外线。

然后利用物镜系统，再将这些光线收集起来，形成有一定方向性的光线。

这个中间又有损耗，所以最终它的实际转换效率，低到只有0.02%左右。

所以这些年以来，也有众多的机构在研究，怎么提高这个转换效率，或者采用另外的形式来生产13.5nm的光源，而不是这种二氧化碳激光脉冲照射锡球的方式。

而近日，中国上海光机所的林楠团队，研发出了一种“固体 激光器”技术路线，也成功产生出了13.5nm波长的EUV光源，更重要的是这种方法的能量转换效率，相比于ASML的技术直接翻倍，也就相当于功耗降低了50%。

这意味着如果以后的EUV光刻机，采用这种技术，其耗电量，可能会大大降低，这一定是所有芯片制造企业的福音。

当然，一项技术从提到到最终实际落的，还需要很长的距离，但这也说明，中国EUV光刻机离我们又近了一步，未来说不定我们能够造出比ASML更好的EUV光刻机了。