4 月 30 日消息，综合英特尔官方演讲内容和德媒 Hardwareluxx 编辑 Andreas Schilling 拍摄的现场照片，2025 Intel Foundry Direct Connect（英特尔代工大会）介绍了英特尔 2.5D 桥接先进封装技术 EMIB 的一系列进展。

英特尔在活动上公布了 EMIB 技术的新变体 —— EMIB-T，其中 T 指的应是 TSV 硅通孔；此外还有分别采用 RDL 重布线层和 Bridge 桥片的 Foveros-R、Foveros-B 封装。

▲ 图源 Andreas Schilling

这一面向 HBM4、UCIe 芯片集成的工艺通过 TSV 和 M Bridge 技术在基板中构建垂直的电力通道，而不会像传统方案一样需要“绕路”。这意味着 EMIB-T 可实现更低的直流 / 交流电噪声，有利于信号传输的稳定性。

英特尔表示 EMIB-T 支持从其它 2.5D 先进封装技术迁移，同时这一过程无需重大重新设计。

▲ 图源 Andreas Schilling

对于未来的 EMIB，英特尔预告其到 2026 年可通过超过 20 个 EMIB 桥实现约 120mm×120mm 的总封装尺寸，集成 12 个 HBM 内存堆栈；而到 2028 年，封装尺寸将进一步扩展到 120mm×180mm，HBM 数量将超过 24 个。

▲ 图源 Andreas Schilling