IT之家 7 月 10 日消息，JEDEC 固态技术协会 7 月 9 日发布 JESD209-6，即最新的低功耗双倍数据速率 6（LPDDR6）标准。JESD209-6 旨在显著提升多种应用场景（包括移动设备和人工智能）的内存速度与效率。JEDEC 称，新版 JESD209-6 LPDDR6 标准是内存技术的重大进步，在性能、能效和安全性方面均有提升。

高性能

为支持人工智能应用及其他高性能工作负载，LPDDR6 采用双子通道架构，在保持 32 字节小访问粒度的同时实现灵活操作。此外，LPDDR6 的主要特性还包括：

每颗芯片含 2 个子通道，每个子通道有 12 条数据信号线（DQs），以优化通道性能每个子通道包含 4 条命令 / 地址（CA）信号，经优化减少焊球数量并提高数据访问速度静态效率模式，旨在支持大容量内存配置并最大化存储体资源利用率灵活的数据访问，支持实时突发长度控制，可实现 32B 和 64B 访问动态写入 NT-ODT（非目标片上终端），使内存能根据工作负载需求调整 ODT，提升信号完整性能效

为满足不断增长的能效需求，与 LPDDR5 相比，LPDDR6 采用更低电压和低功耗的 VDD2 供电，并强制要求 VDD2 采用双电源设计。其他节能特性包括：

采用交替时钟命令输入，提升性能与效率低功耗动态电压频率调节（DVFSL），在低频运行时降低 VDD2 电压，减少功耗动态效率模式，在低功耗、低带宽场景下采用单子通道接口支持部分自刷新和主动刷新，降低刷新功耗安全性与可靠性

相较于上一版本标准，安全性和可靠性方面的改进包括：

每行激活计数（PRAC），支持 DRAM 数据完整性定义隔离元模式，通过为关键任务分配特定内存区域，提升整体系统可靠性支持可编程链路保护方案和片上纠错码（ECC）能够支持命令 / 地址（CA）奇偶校验、错误清理以及内存内置自测试（MBIST），增强错误检测能力和系统可靠性