AMD和英伟达都将在2026年的下一代AI加速器中首次采用定制HBM，均为基于HBM4的设计，以提升性能，降低延迟。前一段时间有传言称，英伟达已开始开发自己的HBM基础裸片（base Die），以适应未来的发展趋势，这很可能重塑HBM的格局。预计英伟达的自研HBM基础裸片采用台积电（TSMC）的3nm工艺制造，计划在2027年下半年进行小批量试产。

据TrendForce报道，随着英伟达自研HBM基础裸片的到来，加上HBM定制设计会带来更大的差异化，大家对DRAM厂商在基础裸片上的动向变得更为关心。过去基础裸片都是使用DRAM工艺制造，因此DRAM厂商都是自己完成设计和生产。不过DRAM工艺在速度、信号完整性和能效上都落后于代工厂的技术，随着新一代HBM的性能要求变得更高，促使DRAN厂商进行转换。

三星和SK海力士都计划在HBM4时代开始，将基础裸片的生产转移到代工厂，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。其中SK海力士最为积极，很早就宣布与台积电合作，双方共同开发HBM产品。相比之下，美光的态度更为谨慎，出于成本方面的考虑，HBM4仍然采用DRAM工艺生产基础裸片，打算推迟到HBM4E才转换到台积电负责生产，不过这么做有可能让其失去竞争优势。

将基础裸片转换到代工厂将对HBM产品带来成本压力，特别是不得不依赖台积电的SK海力士和美光，先进制程节点的高成本可能让其HBM产品的定价高于三星。三星本身就有代工厂，预计会从内部生产中获得潜在的成本优势。有业内人士透露，台积电生产的基础裸片约占SK海力士HBM4总生产成本的20%。