近日有报道称，Rapidus已完成2nm GAA测试芯片流片，计划2027年实现量产。Rapidus表示，位于日本北海道千岁市的创新集成制造工厂（IIM-1）的的月产能约为25000片晶圆，并通过更快的生产周期及灵活性来吸引客户。

据Wccftech报道，有业内人士透露，Rapidus已经准备了名为“2HP”的尖端2nm工艺，逻辑密度达到了237.31 MTr/mm²，与台积电（TSMC）N2的236.17 MTr/mm²相当，两者都属于高密度单元库。

相比于英特尔的Intel 18A（184.21 MTr/mm²），Rapidus有着明显的优势。原因是英特尔加入了背面供电（BSPDN），占用了前端金属层的一部分，从而降低了密度。另外还有一点，英特尔更重视每瓦性能而不是原始密度，因此更高的逻辑密度并不是英特尔的主要目标，特别是Intel 18A更多地是用于内部设计的芯片。

台积电将在今年第四季度将量产2nm工艺，预计Rapidus将落后台积电1到2个制程节点。Rapidus希望实现差异化，提升竞争力，为此提出了完全单晶圆概念，周转时间仅为50天，而传统的批量-单晶圆混合工艺通常需要约120天。对于要加速生产的特定需求产品，Rapidus承诺2nm制程节点上实现15天晶圆交付，这是行业内以往从来没有过的速度。

Rapidus计划在2026年第一季度向客户提供2nm PDK，目前看起来前景不错。