IT之家 3 月 18 日消息，三星电子存储器开发副总裁 황상준 当地时间本月 16 日在 GTC 2026 现场表示，三星将在 HBM5 和 HBM5E 世代分别升级 HBM 内存基础（逻辑）裸片和 DRAM 裸片的工艺，而 HBM4E 的制程则将与 HBM4 相同。

IT之家整理如下：

HBM4HBM4EHBM5HBM5E基础裸片4nm4nm2nm2nmDRAM1c nm1c nm1c nm1d nm

황상준 同时提到，三星电子将 HBM4 视为其整体 HBM 内存业务的重点，目标是占据超过一半的市场份额。三星电子还将加速 HBM 的开发，实现与英伟达同步的 1 年 1 迭代更新速度。