2月21日消息，理想汽车近日首次向外界完整展示了其自研自制的碳化硅电驱技术体系，涵盖从碳化硅芯片设计、功率模块封装到电驱动总成制造的全流程垂直整合能力。这一技术体系的推出，标志着理想汽车在新能源汽车核心零部件…
这一方案采用微转印技术，将含 InAs 量子点的 GaAs 波导精准堆叠至 4H-SiC 电光材料制备的微环谐振腔上。进一步，该研究在芯片上集成微型加热器，实现了量子点激子态光谱的 4nm 宽范围调谐。这一…
这些产品由其位于奥地利菲拉赫的工厂制造，可为绿色能源、火车、电动汽车等高压应用提供一流的功率表现。 ▲ 8 英寸碳化硅晶圆 英飞凌首席运营官Rutger Wijburg 表示： 我们的碳化硅生产正在按计…
快科技2月13日消息，理想汽车官宣自主研发的最新进展和成绩：自研的碳化硅功率芯片完成装机；自研自产的碳化硅功率模块在理想汽车苏州半导体生产基地下线；自研自产新一代电驱动总成在常州电驱动生产基地量产下线。官方称…
理想汽车近日自豪地宣布了其在自主研发领域的重大突破与成就。据悉，理想汽车已成功完成自研碳化硅功率芯片的装机工作，这一里程碑标志着理想在半导体技术上的自主掌控能力迈出了坚实的一步。同时，在苏州半导体生产基地，理…
2月13日消息，理想汽车官宣自主研发的最新进展和成绩：自研的碳化硅功率芯片完成装机；自研自产的碳化硅功率模块在理想汽车苏州半导体生产基地下线；自研自产新一代电驱动总成在常州电驱动生产基地量产下线。官方称…
2月13日消息，理想汽车今日宣布，其自研碳化硅功率芯片完成装机，自研自产的碳化硅功率模块和新一代电驱动总成已分别在理想汽车苏州半导体生产基地和常州电驱动生产基地量产下线。官方表示，上述三大核心技术将陆…
在针对高压高功率碳化硅器件保护环的研究中，研究团队对保护环的关键参数进行了工艺模拟和器件特性模拟，并将结果输入 AI 模型，成功建立了保护环的AI 模型。 该模型能够根据所需的器件特性进行参数反馈，利用数据…
广州小鹏汽车科技有限公司硬件开发总监杨恒、联合汽车电子有限公司电力电子开发总监王小昆、同济大学英飞凌“微控制器与嵌入式系统”基金教席教授、同济大学汽车学院-维克多汽车技术联合实验室主任朱元、基本半导体（无锡）…
「忱芯科技」成立于2020年，主要产品覆盖碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、硅（Si）基功率半导体器件的特性表征与测试环节，致力于为功率半导体IDM企业、新能源车厂及Tier1、功率器件设计与封装企业提供…
11 月 22 日消息，据国内碳化硅单晶衬底材料企业天岳先进官方微信公众号动态，该企业在本月中旬于德国慕尼黑举行的 SemiconEurope 2024 展览会上发布了业界首款 300mm N 型…
同华擎的主板、显卡类似，整体电源产品阵容包含“太极”“幻影电竞”“钢铁传奇”“挑战者”四个系列。 华擎“幻影电竞”电源采用全日系电容，具备 10年保固。 在最为基础的“挑战者”系列方面，华擎推出了 80 P…
11月6日消息，在今日下午举行的“小鹏AI科技日”上，小鹏汽车带来了全新混合碳化硅同轴电驱。碳化硅电机能耗非常强，缺点在于价格昂贵，而按照何小鹏的说法，小鹏这款全新的电机是非常小的一个技术点，但效果很明…
吴春生表示，公司8英寸电阻法碳化硅单晶炉由于解决了碳化硅“盲盒生长”的瓶颈，让工艺开发人员能够更快更准确地验证工艺和晶体实际生长之间的对应关系，大大缩短了工艺开发周期，为后期8英寸衬底量产的可靠性提供了扎实…
10 月 25 日消息，据英媒《金融时报》柏林当地时间昨日报道，美国碳化硅 SiC 晶圆企业 Wolfspeed 在一份声明中表示，该公司目前因电动汽车采用率增幅“较此前预测更为温和”暂停了建设德国…
10月23日消息，一汽红旗昨日宣布，由研发总院新能源开发院功率电子开发部自主设计的碳化硅功率芯片完成首次流片。▲图源红旗研发新视界获悉，该款碳化硅功率芯片从产品核心指标定义、衬底与外延材料选择…
该器件基于国产先进的1700V车规级超高压碳化硅芯片，创新性地运用了高介电强度封装材料和高耐压封装结构，经测试，其最高母线电压可达1200V，为补能系统向超高压平台升级奠定了基础，显著缩短了充电时间，为用户带…
该项突破将有力解决用户在驾乘时面临的充电焦虑和里程焦虑问题，为未来红旗产品适应“千伏”以上高压架构落地，实现5分钟快速补能奠定了坚实基础，进一步拓宽了红旗新能源功率电子产品与技术版图。1700V碳化硅功率半导…
快科技10月18日消息，近日，红旗首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功。 可以有力解决用户在驾乘时面临的充电焦虑和里程焦虑问题，为未来适应“千伏”以上高压架构落地，实现5分钟快速补能奠定了坚实基础。…
【ITBEAR】一汽红旗近日宣布，在其研发总院新能源开发院功率电子开发部的主导下，成功研发出首款1700V超高压碳化硅功率器件样件。 该功率器件采用了国产1700V车规级超高压碳化硅芯片，并结合了高介电强度封…
可以有力解决用户在驾乘时面临的充电焦虑和里程焦虑问题，为未来适应“千伏”以上高压架构落地，实现5分钟快速补能奠定了坚实基础。 据了解，该功率器件搭载国产先进1700V车规级超高压碳化硅芯片，创新采用高介电强…
10月18日消息，近日，红旗首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功。 可以有力解决用户在驾乘时面临的充电焦虑和里程焦虑问题，为未来适应“千伏”以上高压架构落地，实现5分钟快速补能奠定了坚实基础。…
据悉，该功率器件采用了国产先进1700V车规级超高压碳化硅芯片，并创新性地使用了高介电强度封装材料和高耐压封装结构等技术。 同时，这款碳化硅功率器件还能…
此外，该碳化硅功率器件结合了高密度元胞并联和短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联和高耐温银烧结工艺等技术，在超高压平台下可发挥低损耗与高电流输出综合性能优势，提升动力系统的功率密度和效率，节约整车电耗，并提高…
今年以来，主流6英寸碳化硅（SiC）基板价格持续下滑，随着中国SiC基板供应商扩大生产，预计价格还将继续走低。 在SiC衬底市场缺货的情况下，国内一线供应商与国际竞争对手的报价相差5-10%，截至2023年…
06/10 22:33
06/10 22:02
06/10 21:30
06/10 19:33
06/10 17:02
06/10 17:01
06/09 17:34
06/09 17:33
京公网安备 11011402013531号