台积电向转投资企业世界先进授权氮化镓（GaN）制程技术
3 月 27 日消息，西湖仪器宣布率先成功实现 12 英寸碳化硅 (SiC)衬底激光剥离自动化解决方案。该方案大幅降低损耗，提升加工速度，推进了碳化硅行业的降本增效。 在此前的 2024 年 11…
3 月 24 日消息，九峰山实验室官方公众号于 3 月 22 日发布博文，宣布以氮化镓材料为核心，国际首创 8英寸硅基氮极性氮化镓衬底（N-polar GaNOI）、创新推出全国首个 100nm …
2022年1月，天岳先进登陆科创板成为“碳化硅衬底第一股”，上市后，公司却业绩“变脸”，股价也处于长期破发的境况。 第三代半导体碳化硅正在从6英寸晶圆向8英寸晶圆过渡，此次赴港IPO，天岳先进拟将募集资金用…
11 月 22 日消息，据国内碳化硅单晶衬底材料企业天岳先进官方微信公众号动态，该企业在本月中旬于德国慕尼黑举行的 SemiconEurope 2024 展览会上发布了业界首款 300mm N 型…
9 月 10 日消息，日本信越化学当地时间本月 3 日宣布成功开发出用于氮化镓 GaN 外延生长的 300mm（注：一般也称12 英寸）的 QST 衬底，并已从近期开始向客户供应相关样品。…
【头部财经】天岳先进在 Semicon China 展会上公开了其最新的技术动态，展示了 8 英寸碳化硅衬底的最新进展。这是一家专注于碳化
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