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  • 消息称台积电为苹果建2纳米专用产线:A20芯片拟采用WMCM封装技术

    台积电作为全球领先的纯晶圆代工厂,已为苹果建立了一条专用生产线,预计于2026年实现量产。

    06/24
  • 三星电子下一代DRAM良品率已大幅改善 致力于市场份额重回第1

    06/20
  • 消息称三星电子在 DRAM 内存领域率先导入干式光刻胶技术

    6 月 11 日消息,韩媒 ETNews 当地时间昨日报道称,三星电子在 DRAM 内存领域率先导入干式光刻胶 (Dry PR)技术,将应用于到即将正式推出的第 6 代 10 纳米级工艺 (1c …

    06/11
  • 知名存储企业发布DRAM未来三十年研发路线图

    作者:狼叫兽 2025年IEEEVLSI研讨会正在日本东京召开,本次会议上,一家知名存储企业公布了未来三十年在DRAM技术领域的研发路线图及持续创新策略。 该企业首…

    06/10
  • 消息称 I/O 翻倍影响 HBM4 DRAM Die 面积,12Hi 堆栈超 600 美元

    6 月 10 日消息,韩媒 the bell 当地时间昨日报道称,由于 HBM4 内存的 I/O 数量较此前产品翻倍至 2048,在HBM4 DRAM 上沿用 1b 工艺的 SK 海力士和美光不得…

    06/10
  • 真的假的?全球DRAM芯片市场,中国厂商连0.1%都没有?

    但是,近日一家机构的数据发布,让一些网友不理解了,因为从这个数据来看,在DRAM领域,中国厂商似乎连1%的份额都没有。 所以长鑫并不在上面的列表中,实际最开始的时候,我已经提到过,在2024年底的时候,长鑫…

    06/10
  • SK 海力士:4F2 VG 和 3D DRAM 技术将应用于 10nm 及以下级内存

    6 月 10 日消息,2025 年 IEEE VLSI 研讨会正于日本东京举行。SK 海力士在会议上提出了未来 30 年的新 DRAM技术路线图和可持续创新方向。 SK 海力士首席技术官 Cha …

    06/10
  • 新王诞生!SK海力士第一季度首次超越三星:成全球最大DRAM生产商

    6月5日消息,据媒体报道,强劲的HBM需求正重塑全球DRAM市场格局。 在市场研究机构的报告中,三星电子DRAM业务去年四季度营收112.5亿美元,较SK海力士高7.92亿美元,那一季度三星电子的份额为39.…

    06/05
  • Q1 DRAM产业营收骤降5.5%:三星暴跌超19%让出第一宝座!

    相比之下,SK海力士则凭借HBM3e出货比重的提升,支撑了售价与上一季度大致持平,但由于出货量较上一季缩减,营收仍下降了约7.1%,为97.2亿美元,不过排名上升至第一名。 华邦电子则因高容量、平均位元售价…

    06/03
  • SK 海力士今年一季度首获 TrendForce 季度 DRAM 营收占比第一

    6 月 3 日消息,根据 TrendForce 集邦咨询今日公布的 2025 年第一季全球 DRAM 厂自有品牌内存营收排名,SK海力士在上一季度首度获得该机构的季度内存营收榜首,此前 Count…

    06/03
  • 南亚科技加速布局 AI DRAM,定制内存项目有望 2026 年取得验证

    6 月 3 日消息,综合台媒《工商时报》《经济日报》报道,台湾地区内存企业南亚科技正在 AI DRAM加速布局,力争在三大原厂全力争夺 HBM 市场的环境下从定制领域分得一杯羹。 南亚科技总经理李…

    06/03
  • 佰维推出 X570 固态硬盘:DRAM-less TLC,顺序读可达 14500 MB/s

    5 月 26 日消息,佰维 BIWIN 现已推出新款 M.2 2280 PCIe 5.0 NVMe 固态硬盘 X570。与此前的X570 PRO 不同的是,标准版的 X570 基于配备 HMB 主…

    05/27
  • 佰维推出 X570 固态硬盘:DRAM-less TLC,顺序读可达 14500 MB/s

    5 月 26 日消息,佰维 BIWIN 现已推出新款 M.2 2280 PCIe 5.0 NVMe 固态硬盘 X570。与此前的X570 PRO 不同的是,标准版的 X570 基于配备 HMB 主…

    05/26
  • 消息称三星与主要客户就 DRAM 价格上调达成一致

    DDR4 DRAM 价格平均上涨两位数百分比;查询市场研究机构 DRAMExchange 的数据,PC 用 DRAM通用产品(DDR4 8Gb 1Gx8)从下半年开始出现下跌趋势,去年 11 月…

    05/16
  • 消息称三星电子已规划在 1d nm 传统内存后导入 VCT DRAM 技术

    4 月 28 日消息,韩媒 SE Daily 援引业界消息报道称,三星电子内部已制定了在第 7 代 10nm 级 DRAM 内存工艺1d nm 后即导入 VCT 垂直通道晶体管技术的路线图,相关产…

    05/16
  • DRAM芯片,“甜蜜点”已至

    三星是三大存储原厂中首先引入 EUV 的企业,2020年3月,三星宣布采用 EUV 光刻设备制造 10nm DRAM 芯片,并在同年交付100 万个基于 EUV 技术的 10 纳米级 (D1x) DDR4…

    05/16
  • 韩媒:中国DRAM芯片扩产68%,今年超过美光,达到SK海力士50%

    而国内主营DRAM内存的厂商,就是长鑫存储,成立于成立于2017年,至今也不过是7年多的时间。 想想7年前,国产的DRAM存储芯片的份额还为零,7年之后,我们已经拿下了8-10%左右的份额,而到2025年则…

    05/16
  • 有望彻底改变内存现状!新一代3D X-DRAM技术亮相:容量提高10倍

    快科技5月8日消息,NEO Semiconductor近日宣布推出两项新的3DX-DRAM单元设计——1T1C和3T0C,有望彻底改变DRAM内存的现状。 这两种设计分别采用单晶体管单电容和三晶体管零电容的…

    05/16
  • 供应商停产DDR3/DDR4:带动PC DRAM内存价格上涨近5%!

    快科技5月1日消息,据TrendForce最新内存现货价格趋势报告,全球三大DRAM供应商宣布即将停产DDR3和DDR4DRAM,引发了现货市场的快速反应,买家纷纷提前囤积相关内存产品。 这一停产消息部分抵…

    05/16
  • Counterpoint:SK 海力士 2025 年 1 季度首度登顶 DRAM 市场份额

    4 月 9 日消息,研究公司 Counterpoint Technology 在今日发布的 2025 年第一季度 DRAM内存原厂市场占比报告中指出,SK 海力士凭借在 HBM 领域的强劲表现成功…

    05/16
  • 内存的速度+闪存的持久性:DRAM+内存即将面世

    快科技4月9日消息,据媒体报道,近日,Ferroelectric MemoryCo.(FMC)与Neumonda宣布建立合作伙伴关系,致力于将一种名为“DRAM+”的新型内存架构推向市场。 这种内存技术将D…

    05/16
  • TrendForce:二季度一般型 DRAM 价格环比跌幅预计收敛至 5% 以内

    3 月 26 日消息,TrendForce 集邦咨询昨日报告称,在下游客户提前出货的带动下,DRAM 供应链库存削减整体顺利,预计2025 年二季度不计入 HBM 的一般型 DRAM 价格环比跌幅…

    03/26
  • 特纳飞客户端 Gen5 主控 TC2300 曝光:DRAM-less,12GB/s 顺序读

    3 月 21 日消息,特纳飞 TenaFe 在本月 12 日的 CFMS | MemoryS 2025中国闪存市场峰会上分享了其面向主流客户端 PCIe 5.0 固态硬盘的 TC2300 主控的数…

    03/21
  • 别高兴的太早,DRAM内存,中国厂商的份额,还不足5%

    而在市场上,机构们更是表示,到2025年,中国的DRAM内存有望达到15%以上的份额,而预计到2026年,中国在DRAM上的产能和市占率就会越过美国,仅次于韩国企业。 但事实上,我觉得大家真的别高兴的太早,…

    03/11
  • 美光抢滩 1γ DDR5 内存:最少化 EUV 使用,加速量产尖端 DRAM

    韩媒 chosun 昨日(3 月 10 日)发布博文,报道称美光在交付的样品中,其中只有一层使用极紫外光刻(EUV)设备,公司计划通过减少EUV 的使用,来加速量产尖端 DRAM。三星自 2020 年起在…

    03/11
  • 全球DRAM内存市场2024年四季度营收达280亿美元

    作者:狼叫兽 2024年四季度,全球DRAM内存市场预计实现营收280亿美元(约合2033.32亿元人民币),环比增长9.9%,较一年前的行业低谷期增长63.8%。根…

    02/27
  • TrendForce:2024Q4 DRAM 产业营收 280 亿美元,环比增长 9.9%

    2 月 27 日消息,市场调研机构 TrendForce 集邦咨询表示,2024 年四季度全球 DRAM 内存产业实现 280亿美元(备注:当前约 2033.32 亿元人民币)营收,环比上…

    02/27
  • 美光首家推出采用EUV技术的1γ DDR5 DRAM芯片

    美光的1γ 16Gbit DDR5 DRAM旨在提供高达9200MT/s的速度能力,与其前代产品(采用1β技术实现的16Gbit DDR5)相比,速度提高15%,功耗降低20%以上。该内存还包括下一代高K金…

    02/26
  • 美光宣布 1γ DRAM 内存开始出货:性能提升15%,功耗降低20%以上

    2 月 25 日消息,美光科技刚刚宣布,已向生态系统合作伙伴及部分客户提供基于 1γ 节点、第六代(注:即 10nm级)DRAM 节点的 DDR5 内存样品。 据介绍,基于 1γ 节点的 …

    02/25
  • 中国企业搅局,美韩厂商不再挤牙膏,DRAM芯片要进入10nm下了

    主要原因,在我看来就是因为先进工艺门槛高,研发投入也大,再加上整个市场之前就一直被三星、SK海力士、美光这三大企业垄断,这三大企业占了80%以上的份额。 中国企业研发出了DRAM内存,前期技术不太先进,主要…

    02/23
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