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  • 消息称三星芯片部门负责人携1b DRAM样品访问英伟达

    此次访问的目的是向英伟达展示三星最新研发的 1b DRAM 芯片样品,该芯片主要用于高带宽内存(HBM)。由于面临上述问题,三星曾计划改用 1aDRAM(1b DRAM 的前代产品)来生产 HBM3E 8H…

    02/18
  • 等等党胜利!DRAM内存价格大跳水:创下近2年最大跌幅

    2025年1月,指标性产品DDR48GB的批发价(大宗交易价格)约为每个1.75美元,容量较小的4GB产品价格约为每个1.34美元,较前一个月均下跌了6%。 这已是连续第五个月价格下跌,其中8GB产品创下…

    02/14
  • 誓要提升良率!曝三星重新调整1cnm DRAM设计:确保HBM4量产

    2月12日消息,据韩国媒体报道,三星电子正在重新调整其第六代1cnm DRAM的设计,以提升良品率,确保其HBM4内存的量产。三星的1cnm DRAM自开发以来一直面临良品率问题,2024年末的试产并…

    02/12
  • DRAM市场反弹成泡影:上半年内存降价潮难止!

    快科技2月10日消息,市场研究机构Omdia的调查显示,由于IT产品需求疲软以及中国供应增加,预计内存价格下滑趋势将持续到下半年。 Omdia预计,PC、服务器和移动DRAM的价格至少在今年第三季度前仍将保持…

    02/10
  • 国产DRAM市场份额有望在2025年增至10%

    据业内人士透露,得益于长鑫存储(CXMT)等中国企业的快速发展,中国在全球DRAM芯片市场的份额有望在2025年实现同比翻倍,达到10%。长鑫存储作为中国自主研发的DRAM芯片制造商,其产能和技术水平持续提…

    01/16
  • 首款消费级无缓存DRAM SSD发布 性能强悍

    这款产品采用PCIe5.0×4接口,并搭载了来自联芸科技的MAP1806主控芯片,使用无缓方案实现了高达14GB/s的顺序读取和12GB/s的顺序写入速度。此外,博帝还展示了其Viper Xtreme 5…

    01/09
  • 华为首款SSD硬盘京东抢先首发 重新定义DRAM-less高端体验

    目前,2TB版的铠侠VD10系列Gen5固态硬盘,已在京东全球首发,首发价格为1299元,消费者下单参加评论还可以返50元E卡。铠侠VD10系列固态硬盘采用致钛Gen5技术,读速高达10000MB/S,独特散…

    01/06
  • 集邦咨询预测 2025Q1 NAND 平均合约价降 10~15%,DRAM 降8~13%

    1 月 1 日消息,TrendForce 集邦咨询昨日(12 月 31 日)发布博文,预测 2025 年第 1 季度 NANDFlash 平均合约价环比下降 10~15%;DRAM 合约价环比下降…

    01/01
  • 等等再买!DRAM内存价格明年还要下降13%

    DDR4供给方面,由于消费需求低迷,加上中国供应商扩大生产规模,以及现货市场低价颗粒供给增加,导致跌价程度持续大于DDR5。 服务器DRAM方面,2025年第一季度同样受到淡季因素的影响,DDR5与DDR4…

    12/31
  • 要买先等等!DRAM内存合约价明年Q1下降13%

    TrendForce指出,2024年第四季度PCOEM终端销售疲弱,DRAM价格反转下跌,加速了库存去化,这一趋势将延续至2025年第一季度。 DDR4供给方面,由于消费需求低迷,加上中国供应商扩大生产规…

    12/30
  • 鼓励多技术路线探索,消息称三星准备开发传统结构 1e nm DRAM

    12 月 30 日消息,韩媒 the bell 当地时间 26 日报道称,三星电子准备启动采用常规结构的 1e nm(注:即第8 代 10 纳米级)制程 DRAM,实现先进内存开发多轨化,…

    12/30
  • TrendForce:预估一般型 DRAM 内存明年一季度合约价下跌 8%~13%

    在 PC DRAM 方面,DDR4 合约价将下降 10%~15%、而 DDR5 降幅为较窄的 5%~10%,整体来看下滑 8%~13%。对于服务器内存市场,几大原厂 DDR4 产能向 DDR5 大幅转移,…

    12/30
  • DRAM内存价格连续三个月下跌,跌幅还在加大

    作者:柏景福据媒体报道,全球DRAM内存市场正面临PC等终端产品需求减弱,导致价格连续三个月下跌,且跌幅有所扩大。2024年11月,指标性产品DDR4 8GB的批发…

    12/27
  • DRAM内存价格继续下跌 多次刷新周期低价记录

    其中,指标性产品DDR4 8GB的批发价(大宗交易价格)在2024年11月约为每个1.90美元,容量较小的4GB产品价格约为每个1.46美元,两者均较前一个月下跌了4%,连续第三个月下降,并且跌幅较9-10月…

    12/26
  • DRAM内存价格连续下跌!跌幅还在扩大

    快科技12月26日消息,据媒体报道,全球DRAM内存市场正面临需求疲软的挑战,导致价格连续三个月下跌,且跌幅有所扩大。报道称,因PC等终端产品需求减弱,影响到了DRAM价格。 2024年11月,指标性产品D…

    12/26
  • DRAM内存寒冬将至!美光悲观展望前景 三星、SK海力士下调预期

    快科技12月25日消息,据TrendForce报道,继美光科技发布黯淡的业绩展望后,三星电子和SK海力士也下调了2024年第四季度的收益预期,反映出整个行业的疲软态势。 SK海力士12月发布的最新业绩预测表示…

    12/25
  • DRAM内存市场持续低迷:美光悲观展望引发股价重挫16%!

    快科技12月19日消息,美光科技在美东时间周三公布了其第一财季(截至11月28日)的财报。 数据显示,美光第一财季营收为87.1亿美元,略高于分析师预期的87亿美元;调整后每股收益(EPS)为1.79美元,也…

    12/19
  • 三星抢跑!第六代还没量产:下一代DRAM内存测试线已开建

    这条被称为“单路径线”的测试线预计将在明年第一季度完全建成,以提高良率并拉开与竞争对手的技术差距。一旦下一代芯片在研发阶段确定,就会在此引进晶圆,并开始提高量产良率。第七代测试线与第六代DRAM量产的准备工作…

    12/19
  • 三星抢跑!第六代还没量产:下一代DRAM内存测试线已开建

    12月18日消息,据韩国媒体报道,三星电子正加速布局下一代DRAM技术,在第六代DRAM尚未量产之际,已着手建立第七代(1d)DRAM的测试线。 报道称,三星已在平泽P2厂建置10纳米级的第七代DRAM…

    12/19
  • 三星电子抢建 10nm 第七代 DRAM 测试线,力图重夺市场领先地位

    12 月 19 日消息,韩媒 Business Korea 昨日(12 月 18 日)发布博文,报道称三星电子正积极投资建设 10纳米级第七代(1d)DRAM 测试线,旨在提升良率,扩大与竞争对手…

    12/19
  • 通用PC DRAM内存价格暴跌35.7%!明年还要继续降

    需求方面,智能手机和PC等信息技术设备的需求尚未复苏,导致主要IT设备公司下调DRAM库存。 此外,截至11月,PC用DDR5 16GB产品的平均固定交易价格为3.9美元,较10月的4.05美元下跌3.7%…

    12/09
  • 苹果携手三星研发新型DRAM封装技术 旨在提升iPhone端侧AI性能

    【快讯】为了进一步提升iPhone的端侧AI性能,苹果公司近日与三星电子展开合作,共同研发新的低功耗双倍数据速率(LPDDR)DRAM封装方式。苹果计划于2026年采用分离式封装LPDDR DRA…

    12/06
  • 消息称苹果寻求端侧AI性能突破,委托三星研发独立 DRAM 封装方案

    三星还可能尝试为 iPhone DRAM 应用 LPDDR6-PIM(内存内置处理器)技术,该技术的数据传输速度和带宽是 LPDDR5X的两到三倍,专为设备端 AI 设计,三星和 SK 海力士正合作推动其…

    12/06
  • 西部数据推出 PCIe 4.0×4 DRAM-less 固态硬盘 WD_BLACK SN7100

    11 月 22 日消息,西部数据美国加州当地时间昨日宣布推出 WD_BLACK SN7100 内置固态硬盘。该 SSD 为 M.22280 外形规格,PCIe 4.0×4 接口,目前包含 512G…

    11/22
  • TrendForce:消费性需求弱,2023 年 DRAM 模组厂营收同比降 28%

    11 月 20 日消息,据 TrendForce 集邦咨询本月 7 日报告,2023 年全球 DRAM 内存模组市场整体营收达 125亿美元(备注:当前约 904.83 亿元人民币),同比…

    11/20
  • TrendForce:预计 2025 年 DRAM 价格将下跌

    11 月 18 日消息,据 TrendForce 集邦咨询今日研报,第四季为 DRAM 产业议定合约价的关键时期,制程较成熟的DDR4 和 LPDDR4X 因供应充足、需求减弱,目前价格已呈现跌势…

    11/18
  • 铠侠将开发新型 CXL 接口存储器:功耗、位密度优于 DRAM、读取快于 NAND

    这是由日本新能源 产业技术综合开发机构(NEDO)“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 /先进半导体制造技术开发”计划所采纳的。同时,还需要提升容量、降低功耗。 为了实现这一目标,铠侠计划开发…

    11/07
  • 铠侠将开发新型 CXL 存储:功耗、密度优于 DRAM、读取快于 NAND

    11 月 7日消息,铠侠日本当地时间昨日表示,其“创新型存储制造技术开发”提案已获日本新能源・产业技术综合开发机构(NEDO)“加强后 5G信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造…

    11/07
  • 三星S25标准版或维持8GB起步内存 受DRAM良率问题影响

    部分市场可能会提供12GB起步的版本,但基本型号仍将以8GB为主。 其次,针对更高端的市场,Galaxy S25+和Galaxy S25Ultra两款型号将从12GB内存起步。特别是Galaxy S25 U…

    11/05
  • 消息称受 DRAM 良率影响,三星 Galaxy S25 手机起步内存仍为 8GB

    11 月 5 日消息,消息源 @Jukanlosreve 今天(11 月 5 日)在 X 平台发布推文,曝料称三星 GalaxyS25 标准版手机仍为 8GB 内存起步,不过部分市场可能为 12G…

    11/05
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