11 月 22 日消息，西部数据美国加州当地时间昨日宣布推出 WD_BLACK SN7100 内置固态硬盘。该 SSD 为 M.22280 外形规格，PCIe 4.0×4 接口，目前包含 512G…
11 月 20 日消息，据 TrendForce 集邦咨询本月 7 日报告，2023 年全球 DRAM 内存模组市场整体营收达 125亿美元（备注：当前约 904.83 亿元人民币），同比…
11 月 18 日消息，据 TrendForce 集邦咨询今日研报，第四季为 DRAM 产业议定合约价的关键时期，制程较成熟的DDR4 和 LPDDR4X 因供应充足、需求减弱，目前价格已呈现跌势…
这是由日本新能源 产业技术综合开发机构（NEDO）“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 /先进半导体制造技术开发”计划所采纳的。同时，还需要提升容量、降低功耗。 为了实现这一目标，铠侠计划开发…
11 月 7日消息，铠侠日本当地时间昨日表示，其“创新型存储制造技术开发”提案已获日本新能源・产业技术综合开发机构（NEDO）“加强后 5G信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造…
部分市场可能会提供12GB起步的版本，但基本型号仍将以8GB为主。 其次，针对更高端的市场，Galaxy S25+和Galaxy S25Ultra两款型号将从12GB内存起步。特别是Galaxy S25 U…
11 月 5 日消息，消息源 @Jukanlosreve 今天（11 月 5 日）在 X 平台发布推文，曝料称三星 GalaxyS25 标准版手机仍为 8GB 内存起步，不过部分市场可能为 12G…
10 月 29 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的…
在大模型热潮下，现如今大部分企业都在向AI领域靠拢，资料显示，微美全息(WIMI.US)作为拥抱“人工智能+”的排头兵，成功搭上AI这辆技术快车，并且纷纷加码AI多模态模型，试图在应用层面实现真正的“因材施…
快科技10月22日消息，据媒体报道，由于PC和智能手机需求持续低迷，在9月份的大宗交易价格中，作为指标的DDR48GB和4GB产品价格时隔1年5个月首次下降。 9月份，DDR4 8GB批发价约为每个2.04…
三星电子的HBM3E产品完全依赖于其14nm级DRAM，而竞争对手SK海力士和美光的产品则基于1nm级DRAM，这就导致了三星在HBM领域存在相对工艺劣势。 此外，三星电子在其12nm级DRAM的最初设计中…
▲ 基于三星 12nm 级 DDR5 DRAM 的服务器内存条 此外三星电子在其 12nm 级（1b nm）DRAM 的最初设计中并未考虑到HBM 领域的用途，因此三星无法立即调整 HBM3E 内存的 …
10 月 17 日消息，三星电子今日宣布，已成功开发出其首款 24Gb GDDR7DRAM（第七代图形双倍数据传输率存储器），将广泛应用于需要高性能存储解决方案的各个领域，如数据中心、AI 工作站…
CPU主要是指电脑芯片，还包括手机中的Soc，也可以归类到CPU中去，GPU则是显卡，AI芯片等，NAND、DRAM则是存储芯片。 所以韩国媒体认为，目前中国其实在芯片方面全面追赶，哪怕是最难的CPU、GP…
一旦传统 DRAM/Flash 价格反转，确认库存损失将成为常态，意思就是非 HBM 存储器公司迄今还没看到上升周期，甚至要小心 12个月内都不再有上升周期了。果不其然，不到 1 个月，即使靠着 HBM …
10 月 10 日消息，存储领域企业 ScaleFlux 北京时间今日宣布推出 2 款 PCIe 5.0 NVMe 企业级 /数据中心级固态硬盘主控 FC5116、FC5104 和其首款 CXL …
而中国嘛，不管是DRAM内存，还是NAND闪存，均表现一般般，毕竟中国存储芯片到2017年才起步，晚了三星、美光等几十年。 不仅如此，在当前最热闹的HBM芯片上，虽然三星、SK海力士等开发出了第四代产品HB…
与此同时，由于需求疲软和库存过剩，TLC NAND 闪存晶圆价格也出现下跌，这也导致 MLC 和 SLC 晶圆价格下跌，例如 128Gb16Gx8 MLC（主要用于存储卡和 U 盘等闪存产品）合约价在 9…
该产品顺序读取速率可达1600MB/s，顺序写入速率也可达到1500MB/s。 至于价格方面，在波兰当地电商平台售卖的容量版本为2000GB的HX200…
这款移动存储设备采用 USB 3.2 Gen 2×2 接口，拥有 3 年质保。 Goodram HX200 的 2000GB容量版本移动固态硬盘在波兰当地电商平台售价 699 兹罗提（备注：当前约 …
8 月 29 日消息，SK 海力士今日宣布在业界率先成功开发第六代 10 纳米级（1c nm）DDR5 DRAM 内存的同时，也表示1c nm 工艺将用于多款其它 DRAM 内存产品。 SK 海力…
8月29日消息，SK海力士宣布，成功开发出全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的DDR5 DRAM芯片。 这款DRAM芯片名为1c16Gb DDR5，其中的1c代表了SK海力士的第六代10纳米工艺…
SK 海力士强调：“随着 10 纳米级 DRAM技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。与此同时，在 …
华硕最新推出的ROG和ROG Strix X870 (E)主板，引入了全新的NitroPath DRAM技术。这一创新技术为高端DDR5内存主板提供了…
8 月 21 日消息，随着 ROG、ROG Strix X870 (E) 主板的发布，华硕也一道推出了 NitroPath DRAM技术。该技术可为高端 DDR5 内存主板提供更强大的内存性能。 …
快科技8月20日消息，据供应链最新消息显示，DRAM大厂第三季再度调涨DDR5，单季价格将上涨15%以上。 之前集邦咨询报告称，随着市场需求看涨、供需结构改善、价格拉升、HBM崛起，预计2024年的DRAM内…
据报道，韩国半导体公司SK海力士已向上游设备企业订购关键设备，以提高其位于京畿道利川市的M16晶圆厂的DRAM内存产能。值得一提的是，与三星不同，在平泽工厂拥有大量空置面积的情况下，SK海力士唯一能提高DR…
三星电子、SK 海力士、美光三大原厂采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即将在 2024~2025 年推出。 Seo Jae-Wook表示，利用 VG 或 3D DRAM 结构，能将内存的 EUV…
在逻辑图案方面，imec 成功图案化了单次曝光随机逻辑机构，实现了 9.5nm 密集金属线（注：对应 19nmPitch），将端到端间距尺寸降低至 20nm 以下： 此外，imec 通过 High…
Choi 认为，在下代 1c nm 后，DRAM 内存行业还将经历 1d nm 节点才会将名义制程缩小至 10nm 以下。 而到 1c nm节点，HKMG 工艺将被三星电子和 SK 海力士广泛应用于所有类…
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