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  • TrendForce:预估一般型 DRAM 内存明年一季度合约价下跌 8%~13%

    在 PC DRAM 方面,DDR4 合约价将下降 10%~15%、而 DDR5 降幅为较窄的 5%~10%,整体来看下滑 8%~13%。对于服务器内存市场,几大原厂 DDR4 产能向 DDR5 大幅转移,…

    12/30
  • DRAM内存价格连续三个月下跌,跌幅还在加大

    作者:柏景福据媒体报道,全球DRAM内存市场正面临PC等终端产品需求减弱,导致价格连续三个月下跌,且跌幅有所扩大。2024年11月,指标性产品DDR4 8GB的批发…

    12/27
  • DRAM内存价格继续下跌 多次刷新周期低价记录

    其中,指标性产品DDR4 8GB的批发价(大宗交易价格)在2024年11月约为每个1.90美元,容量较小的4GB产品价格约为每个1.46美元,两者均较前一个月下跌了4%,连续第三个月下降,并且跌幅较9-10月…

    12/26
  • DRAM内存价格连续下跌!跌幅还在扩大

    快科技12月26日消息,据媒体报道,全球DRAM内存市场正面临需求疲软的挑战,导致价格连续三个月下跌,且跌幅有所扩大。报道称,因PC等终端产品需求减弱,影响到了DRAM价格。 2024年11月,指标性产品D…

    12/26
  • DRAM内存寒冬将至!美光悲观展望前景 三星、SK海力士下调预期

    快科技12月25日消息,据TrendForce报道,继美光科技发布黯淡的业绩展望后,三星电子和SK海力士也下调了2024年第四季度的收益预期,反映出整个行业的疲软态势。 SK海力士12月发布的最新业绩预测表示…

    12/25
  • DRAM内存市场持续低迷:美光悲观展望引发股价重挫16%!

    快科技12月19日消息,美光科技在美东时间周三公布了其第一财季(截至11月28日)的财报。 数据显示,美光第一财季营收为87.1亿美元,略高于分析师预期的87亿美元;调整后每股收益(EPS)为1.79美元,也…

    12/19
  • 三星抢跑!第六代还没量产:下一代DRAM内存测试线已开建

    这条被称为“单路径线”的测试线预计将在明年第一季度完全建成,以提高良率并拉开与竞争对手的技术差距。一旦下一代芯片在研发阶段确定,就会在此引进晶圆,并开始提高量产良率。第七代测试线与第六代DRAM量产的准备工作…

    12/19
  • 三星抢跑!第六代还没量产:下一代DRAM内存测试线已开建

    12月18日消息,据韩国媒体报道,三星电子正加速布局下一代DRAM技术,在第六代DRAM尚未量产之际,已着手建立第七代(1d)DRAM的测试线。 报道称,三星已在平泽P2厂建置10纳米级的第七代DRAM…

    12/19
  • 三星电子抢建 10nm 第七代 DRAM 测试线,力图重夺市场领先地位

    12 月 19 日消息,韩媒 Business Korea 昨日(12 月 18 日)发布博文,报道称三星电子正积极投资建设 10纳米级第七代(1d)DRAM 测试线,旨在提升良率,扩大与竞争对手…

    12/19
  • 通用PC DRAM内存价格暴跌35.7%!明年还要继续降

    需求方面,智能手机和PC等信息技术设备的需求尚未复苏,导致主要IT设备公司下调DRAM库存。 此外,截至11月,PC用DDR5 16GB产品的平均固定交易价格为3.9美元,较10月的4.05美元下跌3.7%…

    12/09
  • 苹果携手三星研发新型DRAM封装技术 旨在提升iPhone端侧AI性能

    【快讯】为了进一步提升iPhone的端侧AI性能,苹果公司近日与三星电子展开合作,共同研发新的低功耗双倍数据速率(LPDDR)DRAM封装方式。苹果计划于2026年采用分离式封装LPDDR DRA…

    12/06
  • 消息称苹果寻求端侧AI性能突破,委托三星研发独立 DRAM 封装方案

    三星还可能尝试为 iPhone DRAM 应用 LPDDR6-PIM(内存内置处理器)技术,该技术的数据传输速度和带宽是 LPDDR5X的两到三倍,专为设备端 AI 设计,三星和 SK 海力士正合作推动其…

    12/06
  • 西部数据推出 PCIe 4.0×4 DRAM-less 固态硬盘 WD_BLACK SN7100

    11 月 22 日消息,西部数据美国加州当地时间昨日宣布推出 WD_BLACK SN7100 内置固态硬盘。该 SSD 为 M.22280 外形规格,PCIe 4.0×4 接口,目前包含 512G…

    11/22
  • TrendForce:消费性需求弱,2023 年 DRAM 模组厂营收同比降 28%

    11 月 20 日消息,据 TrendForce 集邦咨询本月 7 日报告,2023 年全球 DRAM 内存模组市场整体营收达 125亿美元(备注:当前约 904.83 亿元人民币),同比…

    11/20
  • TrendForce:预计 2025 年 DRAM 价格将下跌

    11 月 18 日消息,据 TrendForce 集邦咨询今日研报,第四季为 DRAM 产业议定合约价的关键时期,制程较成熟的DDR4 和 LPDDR4X 因供应充足、需求减弱,目前价格已呈现跌势…

    11/18
  • 铠侠将开发新型 CXL 接口存储器:功耗、位密度优于 DRAM、读取快于 NAND

    这是由日本新能源 产业技术综合开发机构(NEDO)“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 /先进半导体制造技术开发”计划所采纳的。同时,还需要提升容量、降低功耗。 为了实现这一目标,铠侠计划开发…

    11/07
  • 铠侠将开发新型 CXL 存储:功耗、密度优于 DRAM、读取快于 NAND

    11 月 7日消息,铠侠日本当地时间昨日表示,其“创新型存储制造技术开发”提案已获日本新能源・产业技术综合开发机构(NEDO)“加强后 5G信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造…

    11/07
  • 三星S25标准版或维持8GB起步内存 受DRAM良率问题影响

    部分市场可能会提供12GB起步的版本,但基本型号仍将以8GB为主。 其次,针对更高端的市场,Galaxy S25+和Galaxy S25Ultra两款型号将从12GB内存起步。特别是Galaxy S25 U…

    11/05
  • 消息称受 DRAM 良率影响,三星 Galaxy S25 手机起步内存仍为 8GB

    11 月 5 日消息,消息源 @Jukanlosreve 今天(11 月 5 日)在 X 平台发布推文,曝料称三星 GalaxyS25 标准版手机仍为 8GB 内存起步,不过部分市场可能为 12G…

    11/05
  • 消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 后年推出,0a DRAM 为 VCT 结构

    10 月 29 日消息,《韩国经济日报》当地时间昨日表示,根据其掌握的最新三星半导体存储路线图,三星电子将于 2026 年推出的下代V-NAND 堆叠层数超过 400,而预计于 2027 年推出的…

    10/29
  • 三星公布24Gb GDDR7 DRAM,微美全息AI大模型加速多场景落地

    在大模型热潮下,现如今大部分企业都在向AI领域靠拢,资料显示,微美全息(WIMI.US)作为拥抱“人工智能+”的排头兵,成功搭上AI这辆技术快车,并且纷纷加码AI多模态模型,试图在应用层面实现真正的“因材施…

    10/28
  • PC、手机需求不振!DRAM内存价格1年5个月来首跌

    快科技10月22日消息,据媒体报道,由于PC和智能手机需求持续低迷,在9月份的大宗交易价格中,作为指标的DDR48GB和4GB产品价格时隔1年5个月首次下降。 9月份,DDR4 8GB批发价约为每个2.04…

    10/22
  • 消息称三星 14nm 级 DRAM 拖累 HBM3E 内存认证进度,内部正考虑调整设计

    三星电子的HBM3E产品完全依赖于其14nm级DRAM,而竞争对手SK海力士和美光的产品则基于1nm级DRAM,这就导致了三星在HBM领域存在相对工艺劣势。 此外,三星电子在其12nm级DRAM的最初设计中…

    10/17
  • 消息称三星 14nm 级 DRAM 拖累 HBM3E 内存,内部正考虑调整设计

    ▲ 基于三星 12nm 级 DDR5 DRAM 的服务器内存条 此外三星电子在其 12nm 级(1b nm)DRAM 的最初设计中并未考虑到HBM 领域的用途,因此三星无法立即调整 HBM3E 内存的 …

    10/17
  • 三星成功开发其首款24Gb GDDR7 DRAM,可用于数据中心及AI工作站

    10 月 17 日消息,三星电子今日宣布,已成功开发出其首款 24Gb GDDR7DRAM(第七代图形双倍数据传输率存储器),将广泛应用于需要高性能存储解决方案的各个领域,如数据中心、AI 工作站…

    10/17
  • 韩媒:中国在CPU、GPU、NAND、DRAM上全面追赶

    CPU主要是指电脑芯片,还包括手机中的Soc,也可以归类到CPU中去,GPU则是显卡,AI芯片等,NAND、DRAM则是存储芯片。 所以韩国媒体认为,目前中国其实在芯片方面全面追赶,哪怕是最难的CPU、GP…

    10/12
  • DRAM现货市场,年底前反弹无望?

    一旦传统 DRAM/Flash 价格反转,确认库存损失将成为常态,意思就是非 HBM 存储器公司迄今还没看到上升周期,甚至要小心 12个月内都不再有上升周期了。果不其然,不到 1 个月,即使靠着 HBM …

    10/11
  • ScaleFlux 推出 PCIe 5.0 启动盘主控,支持带 \ 不带 DRAM 方案

    10 月 10 日消息,存储领域企业 ScaleFlux 北京时间今日宣布推出 2 款 PCIe 5.0 NVMe 企业级 /数据中心级固态硬盘主控 FC5116、FC5104 和其首款 CXL …

    10/10
  • 韩媒:中国DRAM内存芯片,仅落后三星一代了

    而中国嘛,不管是DRAM内存,还是NAND闪存,均表现一般般,毕竟中国存储芯片到2017年才起步,晚了三星、美光等几十年。 不仅如此,在当前最热闹的HBM芯片上,虽然三星、SK海力士等开发出了第四代产品HB…

    10/08
  • DRAM 迎来降价周期,DDR4 8Gb 1Gx8 内存 9 月降幅达 17.07%

    与此同时,由于需求疲软和库存过剩,TLC NAND 闪存晶圆价格也出现下跌,这也导致 MLC 和 SLC 晶圆价格下跌,例如 128Gb16Gx8 MLC(主要用于存储卡和 U 盘等闪存产品)合约价在 9…

    10/03
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