英伟达计划于明年推出下一代 AI 加速器“Rubin”，但预计将提前 6 个月至今年第三季度。 报道还称，英伟达 HBM 最大供应商 SK海力士已经在加速 HBM4 的开发和量产。英伟达 CEO 黄仁勋去年…
1月10日消息，SK海力士会长崔泰源透露，公司研发HBM内存的速度，如今已超越英伟达要求。 据韩国媒体报道，崔泰源在CES上提及与黄仁勋当日稍早的会面时表示，“直到最近，SK海力士开发HBM的速度都还落…
不仅如此，远见智存也表示，计划在2025年春节前后，初步完成下一代 HBM3/HBM3e的前端设计，这意味着第三代HBM芯片也离我们不远了，很快就要追上三星、SK海力士等厂商了。 事实上HBM2e芯片的量…
在新加坡政府的持续支持下，我们对 HBM 先进封装工厂的投资加强了我们应对未来不断扩大的 AI 机会的地位。 这是新加坡第一个 HBM高级封装设施，使我们能够为全球 AI 增长作出贡献。 美光表示其在新加…
在制造方面，三星不仅利用自家4nm技术制造逻辑芯片，还引入了10nm制程来生产DRAM，以打造更为出色的HBM4产品。与HBM3E相比，HBM4的单个堆栈带宽已飙升至1.6TB/s，这一显著的提升使得内存系…
12 月 25 日消息，韩媒 ETNews 表示，SK 海力士已加速展开其全球首创的 16Hi（注：即 16层堆叠）HBM3E 内存的量产准备工作，全面生产测试现已启动，为明年初的出样乃至…
快科技12月24日消息，据媒体报道，NVIDIA新一代Blackwell Ultra产品已提上日程，将由B300 GPU芯片主导。 供应链指出，NVIDIA新一代GB300将配备更强的B300芯片，TDP功耗…
据了解，美光的 HBM4 将采用 1β 工艺（第五代 10nm 技术）生产的 DRAM，置于一个 2048位接口的基础芯片上，数据传输速率约为6.4GT/s，理论带宽高达每堆栈 1.64TB/s。…
消息人士称，博通计划从 SK 海力士采购存储芯片，并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。这家公司计划明年将其用作 HBM核心芯片的 1b DRAM 产能扩大到 14~15 万片（注：单…
据报道，由于三星电子的8层和12层堆叠HBM3E内存样品未能满足英伟达的要求，预计今年内正式供应的可能性微乎其微。实际供货时间预计将推迟至2025年。 …
12月12日消息，据韩国媒体报道，由于三星电子的8层和12层堆叠HBM3E内存样品性能未能达到英伟达的要求，今年内正式启动供应的可能性变得非常渺茫，实际供货预计将推迟至2025年。 报道指出，三星电子自…
Marvell 表示这项可提升性能、能效、成本表现的新技术对其所有定制芯片客户开放，并得到了三大 HBM 内存原厂 SK海力士、三星电子、美光的共同支持。 整体来看，这些改进提高了 XPU 的性能和能效，…
Marvell 的“定制 HBM 计算架构”采用了非行业标准的 HBM I/O 接口设计，可带来更优秀性能和最多 70% 的接口功耗降低。整体来看，这些改进提高了 XPU 的性能和能效，同时降低了云运营商…
12 月 4 日消息，经济日报今天（12 月 4日）发布博文，英伟达（Nvidia）携手台积电（TSMC）等供应链合作伙伴，为迎接新一轮 AI 热潮，同时也是为巩固其在 AI 领域的领先地位，已提…
12 月 4 日消息，据两家韩国姊妹媒体 hankyung、KED Global 近两日报道，SK 海力士将为定制 HBM4内存导入更为先进的台积电 3nm 工艺基础裸片，以响应英伟达等美国大型科技企业的需…
12 月 4 日消息，据两家韩国姊妹媒体 hankyung、KED Global 近两日报道，SK 海力士将为定制 HBM4内存导入更为先进的台积电 3nm 工艺基础裸片，以响应英伟达等美国大型科…
得益于此，Azure HBv5能提供近7TB/s（6.9TB/s）的内存带宽，是之前Genoa-XCPU的近9倍，也是Milan-X芯片在HBv3 VMs中的近20倍。尽管技术上可能并非完全定制，但它确实是…
微软表示，在其新推出的Azure HBv5 VM虚拟机中，拥有四个定制的处理器，加上所有附加功能，单个HBv5 VM可提供450GBHBM3内存、352个Zen 4核心（频率达4GHz）。 得益于此，Az…
11 月 20 日消息，微软当地时间 19 日在 Ignite 大会上发布了面向 HPC 高性能计算的 Azure HBv5单租户虚拟机。该虚拟机基于微软与 AMD 合作开发的定制 Zen 4 E…
据韩媒 ETNews 报道，三星电子、SK海力士和美光等内存厂商正在准备采用无助焊剂键合（Fluxless Bonding）技术，这一技术有望应用于下…
11 月 14 日消息，据韩媒 ETNews 报道，三星电子、SK 海力士、美光均对在下代 HBM4内存中采用无助焊剂键合（Fluxless Bonding）技术抱有兴趣，正在进行技术准备。 SK…
11 月 12 日消息，韩媒 MK 昨日（11 月 11 日）发布博文，报道称三星已着手为微软和 Meta 两家公司，供应定制的HBM4 内存。 高带宽内存（HBM）是一种新型计算机内存接口，旨在…
SK Hynix DRAM 技术规划负责人 Younsoo Kim 介绍了公司的 HBM 路线图，并讨论了转向 HBM4内存所需的具体挑战，HBM4 内存仍是一个不断发展的标准，预计将于 2026 年在 …
但是，SK海力士似乎没有十足的信心满足老黄，崔泰源也只是谨慎地说：“我们会努力。” 需要指出的是，黄仁勋这么急着要HBM4，可不是为了Blackwell，因为后者用的还是HBM3E，显然是为了下一代全新的R…
11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭鲁正今日在韩国首尔举行的 SK AI Summit 2024 上介绍了全球首款16-High HBM3E 内存。该产品可实现 48GB 的单堆栈容量，…
人工智能芯片巨头英伟达的CEO黄仁勋周一强调了与SK海力士合作开发更先进的AI加速器的重要性，并表示有必要“积极”开发先进的高带宽内存（HBM）芯片。 黄仁勋说，他的公司实际上一直在与SK海力士“共同设计”…
11月4日消息，在今天的SK AI峰会上，韩国存储巨头SK海力士展出了全球首款48GB 16层HBM3E产品。 SK海力士CEO Kwak Noh-Jung表示，16层HBM市场预计将从HBM4开始兴起…
SK 海力士计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品，而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026年推出。此外，消息称 SK 海力士已经和台积电达成合作，共同设计和…
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