其中，HBM(高带宽)技术是关键发展方向，该技术有望大幅提升iPhone的性能，尤其是在设备端人工智能(AI)方面。 苹果计划将移动HBM与iPhone的GPU单元连接，以增强设备端的AI计算能力。此外，3D…
援引博文报道，三星调整了 HBM3E 产品设计，计划今年 4 月向英伟达大规模供应 8H 版本。另一家韩媒 Sisa Journal指出，美光 3 月已通过 12 层 HBM3E 验证，并开始交付…
4 月 9日消息，韩国媒体《朝鲜日报》当地时间昨日报道称，三星电子本月对晶圆代工部门员工发布内部招聘转岗启示，计划将更多人力资源集中到 HBM内存的开发上来。 获悉，此次提供岗位的部门包…
快科技4月28日消息，SK海力士在台积电北美技术研讨会上，首次公开展示了其HBM4技术，这也是唯一一家展示HBM4技术的公司，同时还展示了几款新产品。 在HBM4内存方面，SK海力士领先于竞争对手，有消息称S…
在服务器内存方面，SK海力士同步展出了基于最新1c DRAM工艺制造的RDIMM与MRDIMM产品，传输速度最高达12,500MB/s。 通过不断推动HBM与服务器内存技术创新，并与NVIDIA等合作伙伴紧…
快科技4月24日消息，据媒体报道，随着1y和1z制程8GbDDR4逐渐停产，三星也将停止其HBM2E产品的生产，目前已进入最后采购阶段，接下来会将重点转向HBM3E和HBM4。 近年来，随着人工智能、高性能…
其中韩美半导体（Hanmi Semiconductor）以 638% 的同比增速领跑，其专供 SK 海力士的热压键合机（TC Bonder）是HBM 生产核心设备，全年营收达 5589 亿韩元（约合人民币 …
在第五代HBM竞争中处于劣势的三星，正将翻身希望寄托在下一代HBM4产品上，目标是在今年内实现量产。 在晶圆代工领域，由于3纳米及以下先进工艺尚未获得大型客户订单，三星在争夺高端客户上的劣势可能在短期内持续…
5月2日消息，据报道，三星在高频宽内存（HBM）领域的处境愈发艰难。 自2023年10月开始，三星就一直在努力使其HBM3E产品通过英伟达认证，但一年多过去，无论是8层还是12层堆叠的产品，均未能达标，…
相较于 HBM PHY，流片成功的 HBM4 PHY 实现了 2.5 倍的带宽提升，并将功耗效率提升 1.5 倍，面积效率提升 2 倍，PPA提升显著。 我们很自豪成为全球首家成功流片 12Gbps HB…
注意到，SK 海力士目前正在向英伟达和其他全球客户供应 HBM3E 12H 等产品，而且最近还向客户提供了 HBM4 12H 的样品。郭鲁正表示，HBM4 12H 将于今年晚些时候开始生产，SK …
3 月 28 日消息，据 THE ELEC，韩华半导体技术公司昨日宣布与 SK 海力士签署价值 210 亿韩元（注：现汇率约合1.04 亿元人民币）的 TC 热压键合机供应协议。这是继本月…
3月27日消息，SK海力士在今天的股东大会上表示，2025年的HBM内存订单已爆满，产能全部售罄。 SK海力士首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-Jung）表示，随着人工智能生态系统的不断扩大，以及中国…
财报数据显示，去年SK海力士销售额达66万亿韩元，营业利润为23万亿韩元，与上一年32.8万亿韩元的销售额相比，增长了一倍多。去年现金与现金等价物比前年增加了59%，达到14万亿韩元；借款从2023年的29…
该技术是堆叠和连接LPDDR DRAM来增加内存带宽，它与HBM类似，通过将常规DRAM堆叠8层或12层来提高数据吞吐量，并具有低功耗的优势。 SK海力士的VFO技术结合了FOWLP（晶圆级封装）和DRAM堆…
3 月 19 日消息，SK 海力士今日宣布推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新产品 12 层（12Hi）HBM4内存，并在全球率先向主要客户出样了 12Hi HBM4。以业界最大规模的 HBM…
3 月 13 日消息，韩媒 FNnews 昨日（3 月 12 日）发布博文，报道称英伟达高管于 3 月 10日访问了三星电子位于天安的封装工厂，审计和测试第五代高带宽内存 HBM3E。三星原本将 …
这次审查紧随2月初的检查，显示英伟达对三星HBM3E的进度高度关注，希望确保其产品在本季度内能够顺利交付。由于HBM产品不仅需要自身通过验证，还要确保其与GPU等设备兼容，因此英伟达预计会频繁访问三星天安工厂…
2 月 27 日消息，韩媒 ETNews 昨日（2 月 26 日）发布博文，报道称 SK 海力士的第 6 代 12 层堆叠高带宽内存HBM4 测试良率已达 70%，为即将到来的量产阶段奠定了坚实基…
2 月 17 日消息，美光执行副总裁兼首席财务官 Mark Murphy 上周在出席分析机构的 Wolfe Research的会议时表示，美光的 12 层堆叠 HBM 内存产品（12Hi HBM3…
2月18日消息，据韩国媒体报道，三星电子半导体部门（DS）负责人全永鉉（Young HyunJun）上周亲自前往美国英伟达总部，展示了三星最新改良的1b DRAM样品。 英伟达曾在2024年要求三星改…
月 17 日消息，韩媒 newdaily 于 2 月 14 日发布博文，报道称由于 HBM 需求旺盛，SK 海力士将于 3 月向 M15X晶圆厂派遣工程师，为工厂投产做准备。 IT之家援引博文介绍，M15X…
2 月 17 日消息，韩媒 newdaily 于 2 月 14 日发布博文，报道称由于 HBM 需求旺盛，SK 海力士将于 3 月向M15X 晶圆厂派遣工程师，为工厂投产做准备。 2024 年 1…
2月12日消息，据韩国媒体报道，三星电子正在重新调整其第六代1cnm DRAM的设计，以提升良品率，确保其HBM4内存的量产。三星的1cnm DRAM自开发以来一直面临良品率问题，2024年末的试产并…
该政策促使客户需求逐步向改良版HBM3E转移，尽管这在一定程度上可能暂时抑制了HBM的整体需求。然而，值得注意的是，从第二季度起，对12层HBM3E的需求预计将迅猛增加，增速甚至可能超过先前的预期。 尽管如…
三星的8层HBM3E（一种较低级的HBM3E品种）据悉于12月获得英伟达的批准。 据悉，HBM（High BandwidthMemory）是一种高带宽内存标准，主要用于满足日益增长的计算需求。 HBM3E…
1月24日消息，据媒体报道，得益于AI需求的快速增长，韩国芯片制造商SK海力士在2024年第四季度的营业利润首次超过了其竞争对手三星。 数据显示，SK海力士当季营业利润同比激增超过20倍，达到8.1万亿…
1 月 16 日消息，韩国媒体《朝鲜日报》今日报道称，DRAM 内存巨头之一的美光也将加入 16-Hi（注：即 16层堆叠）HBM3E 内存的竞争，已在进行最终设备评估，计划年内实现量产。…
1月15日消息，三星电子在HBM内存产品领域遭遇了难题，其HBM3E产品原定于2024年送样给NVIDIA认证，但至今仍未达到NVIDIA的标准。NVIDIA CEO黄仁勋曾表示，虽然知道韩国人对此不…
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