近日，分析机构对HBM发出了警告。
IT之家 7 月 16 日消息，韩国半导体设备企业韩美半导体 (HANMI Semiconductor) 董事长郭东信当地时间昨日表示，在HBM 4/5 世代就为 HBM 内存导入混合键合工艺犹如杀鸡用牛刀…
混合键合未来将成为16+层堆叠HBM内存堆栈构建的关键技术。
月 13 日消息，美光当地时间昨日宣布将在美国的投资从此前宣布的 1250 亿美元扩大至 2000 亿美元（IT之家注：现汇率约合 1.44万亿元人民币），包括额外 250 亿美元的内存制造投资和单独 50…
目前的 HBM 都是 1 个 Base Die 对应 1 个 DRAM 堆栈的单塔结构，而到 HBM6 有望以单一大型 Base Die 配套2 个 DRAM 堆栈，形成双塔的物理造型；同时 NMC 单元…
美光科技宣布，已将12层堆叠36GB HBM4送样给多家主要客户，也是继SK海力士后第二家宣布出货HBM4的业者，显现双方技术差距步逐步拉近。美光HBM4记忆体具有2048位元界面，每个记忆体堆叠的传输速率超…
三星电子6月进行的第3次英伟达12层HBM3E产品认证未获通过，下一次认证定于9月进行。美光已将HBM3E的良率提高到70%以上。…
6 月 10 日消息，美光美国爱达荷州博伊西当地时间今日宣布向多个关键客户交付其 HBM4 36GB 12Hi 内存样品。获悉，美光的 HBM4 36GB 12Hi 基于其成熟的 1ß 工…
6 月 10 日消息，韩媒 the bell 当地时间昨日报道称，由于 HBM4 内存的 I/O 数量较此前产品翻倍至 2048，在HBM4 DRAM 上沿用 1b 工艺的 SK 海力士和美光不得…
6月9日消息，有投资者在互动平台向紫光国微提问：你好，贵司HBM产品目前研发处于什么阶段？ 是否已经开始批量生产。 公司回答表示：您好！目前公司面向特种行业应用的HBM产品还处于研发阶段，后续将根据用户…
6月6日消息，据报道，三星的HBM3E 12层内存仍未通过NVIDIA的认证，其认证时间可能再次被推迟到2025年第四季度。 这一延迟可能会对三星的市场布局产生不利影响，由于NVIDIA是HBM3E内存…
英特尔在服务器和消费产品中都采用了热压粘合技术，现在还开发出一种专门针对大型封装基板的新型热压粘合工艺，有助于克服粘合过程中的芯片和基板翘曲，可最大限度地减少了键合过程中封装基板和芯片之间的热差，从而提高了…
快科技6月2日消息，据媒体报道，Intel将与软银合作，共同开发一种可取代HBM内存的堆叠式DRAM解决方案。 双方成立了一家名为“Saimemory”的新公司，将基于英特尔的技术和东京大学等日本学术界的专利…
5 月 28 日消息，韩媒 MToday 报道称，SK 海力士计划今年十月开始正式量产 HBM 高带宽内存的最新迭代版本 12HiHBM4，而这一生产策略是因应英伟达计划明年推出的 "Rubin"…
5 月 26 日消息，台媒《经济日报》昨晚援引业界消息报道称，美光已同台湾地区集成电路力成封装测试服务厂商力成科技(Powertech, PTI) 敲定 HBM2 内存的独家封装订单外包协议。 H…
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