消息称三星2026年HBM产能达每月约25万片晶圆，提升近五成
HBM价格的持续走高很可能延续至明年
消息称三星电子考虑削减HBM3E产能，扩产1b nm通用DRAM以最大化利润
年底量产逆袭SK海力士，AI芯片格局巨变在即。
三星电子6月进行的第3次英伟达12层HBM3E产品认证未获通过，下一次认证定于9月进行。美光已将HBM3E的良率提高到70%以上。…
6月6日消息，据报道，三星的HBM3E 12层内存仍未通过NVIDIA的认证，其认证时间可能再次被推迟到2025年第四季度。 这一延迟可能会对三星的市场布局产生不利影响，由于NVIDIA是HBM3E内存…
4 月 14 日消息，《韩联社》当地时间昨日报道称，美光正在加速采购韩国半导体设备厂商韩美半导体（HANMISemiconductor）所产 TC 键合设备，为 12Hi HBM3E 的扩展建立设…
谷歌原打算在Ironwood上使用三星的HBM3E，但是现在已经通过联发科，改成美光提供的解决方案。美光推出HBM3E的时间也比SK海力士要晚一些，但是现在已经开始向英伟达等行业巨头供货了，而三星依然很挣扎。…
援引博文报道，三星调整了 HBM3E 产品设计，计划今年 4 月向英伟达大规模供应 8H 版本。另一家韩媒 Sisa Journal指出，美光 3 月已通过 12 层 HBM3E 验证，并开始交付…
快科技4月24日消息，据媒体报道，随着1y和1z制程8GbDDR4逐渐停产，三星也将停止其HBM2E产品的生产，目前已进入最后采购阶段，接下来会将重点转向HBM3E和HBM4。 近年来，随着人工智能、高性能…
3 月 13 日消息，韩媒 FNnews 昨日（3 月 12 日）发布博文，报道称英伟达高管于 3 月 10日访问了三星电子位于天安的封装工厂，审计和测试第五代高带宽内存 HBM3E。三星原本将 …
这次审查紧随2月初的检查，显示英伟达对三星HBM3E的进度高度关注，希望确保其产品在本季度内能够顺利交付。由于HBM产品不仅需要自身通过验证，还要确保其与GPU等设备兼容，因此英伟达预计会频繁访问三星天安工厂…
2 月 17 日消息，美光执行副总裁兼首席财务官 Mark Murphy 上周在出席分析机构的 Wolfe Research的会议时表示，美光的 12 层堆叠 HBM 内存产品（12Hi HBM3…
该政策促使客户需求逐步向改良版HBM3E转移，尽管这在一定程度上可能暂时抑制了HBM的整体需求。然而，值得注意的是，从第二季度起，对12层HBM3E的需求预计将迅猛增加，增速甚至可能超过先前的预期。 尽管如…
三星的8层HBM3E（一种较低级的HBM3E品种）据悉于12月获得英伟达的批准。 据悉，HBM（High BandwidthMemory）是一种高带宽内存标准，主要用于满足日益增长的计算需求。 HBM3E…
1 月 16 日消息，韩国媒体《朝鲜日报》今日报道称，DRAM 内存巨头之一的美光也将加入 16-Hi（注：即 16层堆叠）HBM3E 内存的竞争，已在进行最终设备评估，计划年内实现量产。…
12 月 25 日消息，韩媒 ETNews 表示，SK 海力士已加速展开其全球首创的 16Hi（注：即 16层堆叠）HBM3E 内存的量产准备工作，全面生产测试现已启动，为明年初的出样乃至…
快科技12月24日消息，据媒体报道，NVIDIA新一代Blackwell Ultra产品已提上日程，将由B300 GPU芯片主导。 供应链指出，NVIDIA新一代GB300将配备更强的B300芯片，TDP功耗…
据报道，由于三星电子的8层和12层堆叠HBM3E内存样品未能满足英伟达的要求，预计今年内正式供应的可能性微乎其微。实际供货时间预计将推迟至2025年。 …
12月12日消息，据韩国媒体报道，由于三星电子的8层和12层堆叠HBM3E内存样品性能未能达到英伟达的要求，今年内正式启动供应的可能性变得非常渺茫，实际供货预计将推迟至2025年。 报道指出，三星电子自…
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