▲ 基于三星 12nm 级 DDR5 DRAM 的服务器内存条 此外三星电子在其 12nm 级（1b nm）DRAM 的最初设计中并未考虑到HBM 领域的用途，因此三星无法立即调整 HBM3E 内存的 …
MI325X也支持八块并行组成一个平台，这就有多达2TB HBM3E、48TB/s带宽，总的性能高达FP16 10.4PFlops(每秒1.04亿亿次)、FP8 20.8 PFlops(每秒2.08亿亿次…
为了迎接万亿参数的 AI 模型，AMD MI325X 加速卡重点提升了 HBM3E 内存和计算能力。 援引 AMD官方报道，该公司正在为 2025 年下半年准备 Instinct MI350X 系列…
本周四，韩国SK海力士宣布，已开始量产全球首款12层HBM3E产品，容量为36GB，这是迄今为止现有HBM的最大容量。SK海力士声称，12层HBM3E产品在速度、容量和稳定性方面均达到全球最高标准。 据该公…
9 月 26 日消息，SK 海力士今日宣布，公司全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片，实现了现有 HBM 产品中最大的36GB 容量；公司将在年内向客户提供此次产品。公司业界率先成功量产 …
9 月 24 日消息，创意电子 GUC 今日宣布其 3nm 工艺 HBM3E 内存控制器与物理层（PHY）IP 已获业界重要 CSP云服务提供商和多家 HPC 解决方案供应商采用，该 ASIC 预…
9 月 12 日消息，韩媒 The Elec 当地时间本月 4 日报道称，SK 海力士未来将在 HBM领域采取质量优先的整体策略，专注于尖端 HBM 内存的开发与量产，而传统 HBM 产品则将被逐…
快科技9月10日消息，美光官方宣布，已经完成12-Hi堆栈的新一代HBM3E高带宽内存，单颗容量达36GB，比之前的8-Hi24GB增大了足足一半。 它将用于顶尖的AI、HPC计算产品，比如NVIDIA H…
美光表示，其 12 层堆叠 HBM3E 容量较现有的 8 层堆叠 HBM3E 产品高出 50%，允许 Llama-70B 这样的大型 AI模型在单个处理器上运行，可避免多处理器运行带来的延迟问题。 台积电…
9 月 4 日消息，SK 海力士社长金柱善（Kim Ju Seon）今日在 SEMICON 大师论坛发表演讲，他表示：其 8 层HBM3E 产品已是市场上最具领导地位的产品，并将于本月底开始量产 …
9 月 4 日消息，TrendForce 集邦咨询在昨日报告中表示，三星电子的 HBM3E 内存产品“已完成验证，并开始正式出货HBM3E 8Hi（注：即 24GB 容量），主要用于 H2…
8 月 23 日消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，韩国无厂 AI 芯片设计企业Rebellions 首席技术官 OhJin-wook 在接受采访时表示其下一代 AI NPU 芯片 REB…
8 月 13 日消息，华尔街见闻报道称，SK 海力士已将其 DDR5 DRAM 芯片提价 15%-20%。供应链人士称，海力士DDR5 涨价主要是因为 HBM3/3E 产能挤占。 今年 6 月就有…
三星对有关英伟达测试其高带宽存储芯片（HBM）的媒体报道再度做出了回应，表示测试正在“按计划”进行。三星的一名发言人通过电子邮件表示：“三星电子正在通过与各客户的密切合作优化我们的产品，并按计划进行测试。”上…
【快讯】三星电子最新版本的第五代高带宽内存芯片(HBM3E)已通过英伟达的测试，可以用于其人工智能处理器。 尽管三星和英伟达尚未签署供应协议，但预计很快会达成协议，并将在2024年第四季度开始供应。…
快科技8月7日消息，据集邦咨询最新报告，NVIDIA将在今年下半年供货Blackwell架构的新一代B100、B200 GPU，供应CSP云客户，同时增加一款精简版的B200A，面向有边缘AI需求的OEM企业…
【快讯】近日有消息称三星电子的第五代8层HBM3E存储芯片已成功通过英伟达的测试，将为处理生成式AI工作提供高级内存解决方案，这一成就是三星在全球内存芯片市场上的重大突破，此前该公司在高级内存芯片供…
据外媒消息，今日有报道称三星的8层HBM3E产品已通过英伟达测试，三星回应称，这和事实相距甚远，“我们不能证实与我们客户相关的传闻，但这个报道不是真的。”一位三星电子人士表示，“正如我们上个月电话会议上所说的…
8 月 7 日消息，今天早些时候路透社报道称，三星的8 层 HBM3E 芯片已通过英伟达测试。现据韩媒 BusinessKorea报道，三星电子回应称该报道并不属实。 对于这一传闻，三星明确回应称…
知情人士表示，三星和英伟达尚未签署已获批的 8 层 HBM3E 芯片的供应协议，但很快就会达成协议，预计将在 2024年第四季度开始供应。此前，三星在供应能够处理生成式 AI 工作的高级内存芯片的竞争中一…
SK 海力士去年在 FMS 活动中宣布开发出业界最高的 321 层 NAND，今年也将展示诸多 AI 领域的新产品，包括 12 层HBM3E（预计在第三季度量产）和 321-high NAND（明年上半年…
我们已经准备好量产半导体行业领先的 12 层 HBM3E 芯片，我们将根据多家客户的需求计划，在今年下半年扩大供应。 曾于 7月16日报道，三星规划至少转移 20-30% 的产能到 HBM 上，…
此前报道，三星平泽 P4 工厂的代工业务已暂缓建设。 业内人士称： 目前，P4 是三星（韩国）国内业务中唯一可以增加 DRAM 产能的空间。该公司已经制定了计划，在可以增加半导体产能的空间首先投资…
7月19日消息，据媒体报道，三星电子的HBM3E内存终于成功通过NVIDIA的认证测试，预计从下个季度开始向NVIDIA供货。 此前，三星电子为了集中力量发展HBM技术，已对其半导体业务线进行了多次调整…
7 月 16 日消息，三星本月初否认了 HBM3e内存芯片通过英伟达认证测试的消息，不过集邦咨询最新消息称三星供应链已经转动起来，有望今年第 3 季度开始向英伟达出货。 援引该报道，在三星…
7 月 12 日消息，韩媒 ZDNet Korea 报道指，美光的 HBM3E 内存在上 (6)月遭遇封装缺陷，引起发热问题，影响了量产进程。 美光于 2024 年 2 月 26 日宣布量产基于 …
7 月 11 日消息，行业标准制定组织 JEDEC 固态技术协会昨日（7 月 10 日）发布新闻稿，表示 HBM4标准即将定稿，在更高的带宽、更低的功耗、增加裸晶 / 堆栈性能之外，还进一步提高数…
【头部财经】随着人工智能（AI）和高性能计算（HPC）的迅猛发展，存储领域的技术创新也日益引人注目。Micron Technology Inc.（
【头部财经】SK海力士近日发布了2023财年第二季度财务报告，公司在截至6月30日的这一季度实现了不俗的业绩。SK海力士表示，生成
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