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  • 英伟达据称测试降配版Rubin Ultra GPU,HBM短缺下芯片厂商如何破局?

    同时,该机构表示,鉴于LPDDR5X内存芯片的供给短缺预计延续至2027年,英伟达已决定将Vera Rubin超级芯片模组的SOCAMM内存模组容量减半。

    08/07
  • OpenAI与AMD合作开发MI500 系列AI芯片:2nm工艺配HBM4E内存, 2027 年发布剑指千倍性能跃升

    07/24
  • 碾压台积电CoWoS!英特尔EMIB-T封装方案问世:HBM4e飙上12Gb/s

    07/11
  • 英伟达Rubin Ultra机架售价约1.42亿:HBM4e内存成本飙升 头部企业已部署

    英伟达Rubin Ultra机架售价约1.42亿:HBM4e内存成本飙升 头部企业已部署

    07/10
  • 美股盘前全线走高!苹果英特尔联手造芯、HBM4E送样多重科技利好落地

    06/18
  • HBM4E竞速开启,SK海力士与三星电子抢跑

    06/18
  • SK海力士开始供应下一代面向AI的存储器“HBM4E”12层堆叠样品

    06/18
  • SK海力士:已向主要客户供应12层HBM4E样品

    06/18
  • 消息称SK海力士准备向主要客户提供HBM4E样品,最早本月发货

    消息称SK海力士准备向主要客户提供HBM4E样品,最早本月发货

    06/15
  • SK海力士展出12层堆叠48GB HBM4E内存,引脚速率16Gbps

    06/03
  • 三星电子开始交付业内首批HBM4E样品,性能较上代产品提升逾20%

    05/29
  • 三星电子业内率先出样HBM4E内存

    05/29
  • 三星电子12层HBM4E样品开始出货:系业界首款,性能提升20%

    05/29
  • 美光HBM4增产进展顺利,HBM4E计划明年开始大规模生产

    05/26
  • 拒绝挤牙膏!美光HBM4产出效率暴涨2倍 明年量产HBM4E已锁定

    05/25
  • 美光HBM4量产加速 HBM4E明年投产

    05/25
  • HBM4E竞赛升级:SK海力士被曝拟引入台积电3nm工艺反超三星

    03/22
  • 美光确认HBM4E基于1γDRAM,未来1δ工艺采最新EUV光刻机

    03/20
  • 三星GTC 2026全面展示AI内存布局,HBM4E首发亮相

    03/17
  • 曝三星加快研发HBM4E芯片,基础裸片有望采用2nm制程

    03/13
  • Rambus推HBM4E内存控制器IP:单引脚16Gbps,单堆栈4.1TB/s

    03/05
  • 三星加快定制HBM4E设计,预计2026年中完成,SK海力士、美光同步跟进

    01/23
  • 台积电展望定制版HBM4E内存:N3P制程基础裸片集成内存控制器

    台积电展望定制版HBM4E内存:N3P制程基础裸片集成内存控制器

    11/28
  • 台积电展望定制版HBM4E内存:N3P制程基础裸片集成内存控制器

    11/28
  • 三星和SK海力士计划2026H1完成HBM4E的开发,2027年有望占据40%市场份额

    11/13
  • 消息称三星电子、SK海力士目标明年上半年完成HBM4E研发,定制化成竞争关键

    消息称三星电子、SK海力士目标明年上半年完成HBM4E研发,定制化成竞争关键

    11/13
  • 消息称三星电子、SK海力士目标明年上半年完成HBM4E研发

    11/13
  • 三星官宣 HBM4E:带宽飙升至 3.25TB/s,为英伟达Rubin GPU定制

    10/15
  • DRAM厂商在HBM基础裸片上出现分歧:美光推迟至HBM4E才转换到台积电

    08/30
  • 美光:HBM4E 时代定制 HBM 内存落地,推动形成“特供”格局

    08/12
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