新思科技近日宣布，其LPDDR6 IP在台积公司N2P工艺上成功流片，并已完成初步功能验证。这一突破性成果不仅巩固了新思科技在先进工艺节点IP领域的领先地位，更为客户提供了一种可信赖且经硅片验证的IP选择，满足移动通讯、边缘AI及高性能计算等高存储带宽需求的应用场景。

客户通过采用最新发布的LPDDR6标准，不仅能降低项目风险，还能实现高性能，并显著缩短产品上市时间。新思科技经验证的N2/N2P工艺IP产品组合如今新增了LPDDR6，同时涵盖USB和MIPI，为设计团队提供了强大的信心，助力其实现极具挑战性的功耗、性能和面积（PPA）目标。

新思科技接口IP工程高级副总裁Dino Toffolon表示：“我们很高兴能在台积公司N2P工艺上完成LPDDR6 IP的硅验证。这一成果不仅强化了我们在先进制程IP领域的领先地位，也为客户提供了可验证、可量产的可信方案。客户在采用最新LPDDR6标准的同时，能够降低项目风险、加快产品上市进程。”

他进一步指出：“LPDDR6的发布，标志着高带宽、低功耗的存储接口正式迈入‘埃米级’（angstrom-scale）时代。通过与台积公司的深度合作，我们帮助客户顺利过渡至2纳米及以下工艺，让移动、边缘AI和高性能计算设备都能提前享受下一代内存带宽。”

新思科技通过拓展在高速接口领域的领先优势，助力打造兼具高带宽与高能效的芯片设计。与台积公司的紧密合作则帮助客户顺利过渡至埃米级工艺节点。随着LPDDR6在N2P和N3P工艺上得到支持，移动通讯、AI推理、边缘计算和HPC领域的设备制造商，将能够以较低的风险充分利用下一代内存性能。