IT之家 1 月 19 日消息，据彭博社报道，英伟达供应商美光科技表示，过去一个季度，存储器芯片短缺问题进一步加剧。由于人工智能基础设施所需高端半导体的需求激增，美光重申，这场芯片短缺危机将持续至今年以后。

美光科技运营执行副总裁马内什・巴蒂亚在接受采访时表示：“我们目前遭遇的短缺局面确实是前所未有的。”采访是在美光于上周五在纽约州锡拉丘兹郊外举行的百亿美元芯片制造基地奠基仪式后不久进行的。此番表态也进一步印证了该公司去年 12 月作出的类似预测。

巴蒂亚指出，人工智能加速器所需的高带宽存储器占据了全行业大量产能，导致面向手机、个人电脑等传统领域的芯片供应严重不足。

他还补充道，个人电脑和智能手机制造商已开始排队争取 2026 年之后的存储器芯片供应订单，而自动驾驶汽车和人形机器人领域的发展，将进一步推高这类芯片的需求。

上周，界面新闻报道称，受存储器成本上涨影响，小米、OPPO、传音控股等中国主流智能手机厂商正下调 2026 年出货目标，其中 OPPO 的目标降幅最高达 20%。目前，上述三家企业均未回应置评请求。

市场研究机构 Counterpoint 去年 12 月发布预测称，存储器芯片短缺推高了生产成本并压缩产能，今年全球智能手机出货量或将下滑 2.1%。戴尔科技等个人电脑制造商也已发出预警，称其业务可能受到当前芯片短缺问题的影响。

得益于人工智能产业热潮，全球存储器芯片三巨头 —— 美光、SK 海力士、三星电子在 2025 年均迎来股价大涨。SK 海力士称，其 2026 年芯片产能已全部售罄；美光也表示，该公司今年的人工智能存储器芯片订单已全部排满。

为优先保障英伟达等战略企业客户的供应，美光于去年 12 月宣布，将终止旗下广受欢迎的英睿达（Crucial）消费级存储器业务。人工智能行业对存储器芯片的巨大需求，也促使美光加快了在美国和亚洲地区的产能扩张步伐。

上周六，美光宣布计划斥资 18 亿美元，收购中国台湾地区一处带有现有工厂的场地，此举将大幅缩短美光新工厂的投产周期。

DRAM（动态随机存取存储器）为英伟达、英特尔等企业的高性能处理器提供运算环境，同时也是人工智能加速器实现高效运行所需的高带宽存储器核心组件。

巴蒂亚在采访中表示：“我们在亚洲生产基地的核心任务，是持续向新一代技术迭代升级。”他还指出，新增晶圆产能则将几乎全部落地美国本土。

美光位于锡拉丘兹附近的百亿美元项目规划建设四座 DRAM 晶圆厂，每座工厂的面积约相当于 10 个足球场。首批晶圆预计将于 2030 年下线。

除现有研发设施外，美光还计划在博伊西新增两座晶圆厂的产能。其中，爱达荷州的首座新工厂预计 2027 年投产，第二座工厂正在规划中。与此同时，该公司也在对弗吉尼亚州现有的制造基地进行升级扩建。

上述一系列扩产计划，均是美光实现 40% 的 DRAM 产能本土化承诺的重要举措。这一目标的达成，得益于该公司 2024 年获得的《芯片与科学法案》62 亿美元（IT之家注：现汇率约合 432.75 亿元人民币）补贴，以及在工厂建设期间可享受的 35% 税收抵免优惠政策。