IT之家 7 月 16 日消息，韩国半导体设备企业韩美半导体 (HANMI Semiconductor) 董事长郭东信当地时间昨日表示，在HBM 4/5 世代就为 HBM 内存导入混合键合工艺犹如杀鸡用牛刀…
混合键合未来将成为16+层堆叠HBM内存堆栈构建的关键技术。
月 8 日消息，韩媒《朝鲜日报》在当地时间昨日的报道中表示，两大韩系 DRAM 内存原厂三星电子和 SK海力士都正在考虑将混合键合技术引入下一代 HBM 内存 —— HBM4 中。 消息人士透露，三星电子预…
4 月 14 日消息，《韩联社》当地时间昨日报道称，美光正在加速采购韩国半导体设备厂商韩美半导体（HANMISemiconductor）所产 TC 键合设备，为 12Hi HBM3E 的扩展建立设…
快科技3月24日消息，据报道，九峰山实验室科研团队近日取得重大突破，成功在全球范围内首次实现了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polarGaNOI）高电子迁移率材料的制备。 这一里程碑式的成果不仅打破了国际技术…
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