IT之家 7 月 16 日消息，韩国半导体设备企业韩美半导体 (HANMI Semiconductor) 董事长郭东信当地时间昨日表示，在HBM 4/5 世代就为 HBM 内存导入混合键合工艺犹如杀鸡用牛刀…
混合键合未来将成为16+层堆叠HBM内存堆栈构建的关键技术。
月 8 日消息，韩媒《朝鲜日报》在当地时间昨日的报道中表示，两大韩系 DRAM 内存原厂三星电子和 SK海力士都正在考虑将混合键合技术引入下一代 HBM 内存 —— HBM4 中。 消息人士透露，三星电子预…
4 月 14 日消息，《韩联社》当地时间昨日报道称，美光正在加速采购韩国半导体设备厂商韩美半导体（HANMISemiconductor）所产 TC 键合设备，为 12Hi HBM3E 的扩展建立设…
快科技3月24日消息，据报道，九峰山实验室科研团队近日取得重大突破，成功在全球范围内首次实现了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polarGaNOI）高电子迁移率材料的制备。 这一里程碑式的成果不仅打破了国际技术…
3 月 12 日消息，青禾晶元昨日宣布推出由其独立研发的全球首台 C2W（Chip to Wafer，芯片对晶圆）与W2W（Wafer to Wafer，晶圆对晶圆）双模式混合键合设备 SAB 8…
全球第一的存储巨头三星，居然购买中国长江存储的专利技术，来打造未来产品，而在拿到授权的第一时间，三星就宣布了基于相关技术的成果：400多层堆叠的第十代V-NAND闪存。 和众多传统闪存厂商一样，三星也是一直将…
据韩媒 ETNews 报道，三星电子、SK海力士和美光等内存厂商正在准备采用无助焊剂键合（Fluxless Bonding）技术，这一技术有望应用于下…
11 月 14 日消息，据韩媒 ETNews 报道，三星电子、SK 海力士、美光均对在下代 HBM4内存中采用无助焊剂键合（Fluxless Bonding）技术抱有兴趣，正在进行技术准备。 SK…
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