去年的时候，佳能正式发布了全球首款NIL系统FPA-1200NZ2C，表示这台设备，可以制造最小线宽14nm的芯片，从工艺制程来看，也就是5nm。 看起来似乎便宜很多，优势明显，但其实NIL纳米压印的缺点也…
因为光线的波长小，分辨率就高了，所以浸润式光刻机，可以用于最小7nm工艺的芯片，这是干式DUV办不到的。其实它就是一台干式DUV光刻机，所以能生产多少纳米的芯片，我也不多说了，懂的都懂。 基于此，很多人表…
目前国内光刻机技术，理论上来讲，还在第四代，也就是ArF光刻机，也称之为干式DUV光刻机，采用193nm的波长，理论最小制程为65nm，前几天的新闻，铺天盖地都是一台这样的光刻机，我就不多说它了。 所以现在…
9 月 10 日消息，继英特尔抢先于 2024 年 4 月宣布完成业界首台高数值孔径极紫外（High NAEUV）光刻机组装后，台积电竹科园区将于 9 月底前引进其首台高数值孔径极紫外光刻机，较外…
9 月 9 日消息，据台媒《经济日报》今天下午援引业界消息称，台积电首台 ASML High NA EUV光刻系统设备本月将进机，这将使其“持续领先”三星晶圆代工的交机进度。 这台设备的价值超过 …
该企业 2024 年一到八月累计合并营收为 249.72 亿新台币（当前约 55.27 亿元人民币），较去年同期增加 35.24%。 注：考虑到技术差距等因素，南亚科技的“1B”“1C”制程不严格对…
9 月 3 日消息，据韩媒 The Elec 昨日报道，三星正对 Tokyo Electron (TEL) 的Acrevia GCB 气体团簇光束（注：GasClusterBeam）系统进行…
8 月 20 日消息，韩媒 businesskorea 今天（8 月 20 日）发布博文，曝料称三星计划削减 High-NA EUV采购规模，而且和 ASML 联合创立研究中心项目也遇到诸多障碍。…
8 月 19 日消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，SK 海力士 EUV 材料技术人员当地时间本月 12日出席技术会议时向媒体表示，该企业计划于 2026 年首次导入 ASML 的 Hig…
8 月 16 日消息，首尔经济日报昨日（8 月 15 日）报道，三星将于 2024 年第 4 季度至 2025 年第 1季度期间，安装首台来自 ASML 的 High-NA EUV 光刻机，并预估…
8 月 14 日消息，东京电子 TEL 当地时间 7 月 8 日宣布推出 Acrevia GCB（注：气体团簇光束，GasCluster Beam）系统，该系统可对 EUV 光刻图案进行临…
三星电子、SK 海力士、美光三大原厂采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即将在 2024~2025 年推出。 Seo Jae-Wook表示，利用 VG 或 3D DRAM 结构，能将内存的 EUV…
近日，CNMO注意到，有日媒报道称， 日本冲绳科学技术大学院大学开发出一项技术，旨在显著减少制造尖端半导体所必需的极紫外线（EUV）光刻设备的能耗与制造成本。该创新成果由该校新竹积教授领衔…
此前，在去年12月Intel已经接收了全球首台High NA EUV光刻机并在俄勒冈州晶圆厂完成了组装。 此次引入第二台设备将进一步提升Intel在高端芯片制造领域的竞争力，并有望帮助公司在2025年超过台积…
帕特·基辛格表示，这台第二台High NA EUV光刻机将很快进入Intel位于美国俄勒冈州的晶圆厂，并有望支持公司生产新一代更强大的计算机芯片。此次引入第二台设备将进一步增强Intel在高端芯片制造领域的…
8月6日消息，在近日的财报电话会议上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NAEUV（极紫外光刻机）。 High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备…
上个月，ASML 透露将在 2024 年内向台积电交付首台High NA EUV 光刻机，价值达 3.8 亿美元（备注：当前约27.6 亿元人民币）。 在此之前，ASML 已于 2023 年 12…
台媒在报道中表示，台积电在 A16 后的下一代工艺 A14 预计于 2026 上半年进入风险试产阶段，最快 2027年三季度量产，该节点的主力光刻设备仍将是 ASML 的 NXE:3800E Low NA…
快科技7月17日消息，ASML(阿斯麦)今天公布了2024年第二季度财报，形势喜人：净销售额62.43亿欧元，环比增长18.0％；毛利率51.5％，较上季度提升0.5个百分点；净利润15.78亿欧元，环比增长…
对于第三季度预期及2024全年展望，傅恪礼表示，2024年第三季度的净销售额预计将在67亿至73亿欧元之间，预计其中有14亿欧元来自装机管理业务，毛利率预计在50%到51%之间；对2024年全年的预期保持不…
7 月 16 日消息，韩媒 The Elec 报道，韩国半导体公司周星工程（Jusung Engineering）最新研发出原子层沉积（ALD）技术，可以在生产先进工艺芯片中降低极紫外光刻（EUV）…
事实上，不只是EDA这一块，目前在芯片设计、封测这两大关键环节上，我们都已经拥有了3nm的技术，真正缺的是制造，只要制造能跟上，3nm芯片早就不是问题了。 所以不仅仅是光刻机的问题，我们在整个半导体设备领域…
但大家不知道的是，其实EUV光刻机的研发，是英特尔带着美国的实验室、科研机构研发出来的，但英特尔研发出来后，自己不想造，觉得不如造芯片赚钱，就扔给ASML。 接下来应该要真正投入制造了，但英特尔自己不想干，…
而理论上来讲，制造5nm以下芯片，必须用到EUV光刻机，所以当芯片厂商们要进入5nm以下，就必须找ASML买EUV光刻机，再贵也得买。 目前只有台积电表示暂时不买它，而intel已经买了一台，三星也表示要买…
06/10 22:33
06/10 22:02
06/10 21:30
06/10 19:33
06/10 17:02
06/10 17:01
06/09 17:34
06/09 17:33
京公网安备 11011402013531号