近日，分析机构对HBM发出了警告。
目前的 HBM 都是 1 个 Base Die 对应 1 个 DRAM 堆栈的单塔结构，而到 HBM6 有望以单一大型 Base Die 配套2 个 DRAM 堆栈，形成双塔的物理造型；同时 NMC 单元…
美光科技宣布，已将12层堆叠36GB HBM4送样给多家主要客户，也是继SK海力士后第二家宣布出货HBM4的业者，显现双方技术差距步逐步拉近。美光HBM4记忆体具有2048位元界面，每个记忆体堆叠的传输速率超…
6 月 10 日消息，美光美国爱达荷州博伊西当地时间今日宣布向多个关键客户交付其 HBM4 36GB 12Hi 内存样品。获悉，美光的 HBM4 36GB 12Hi 基于其成熟的 1ß 工…
6 月 10 日消息，韩媒 the bell 当地时间昨日报道称，由于 HBM4 内存的 I/O 数量较此前产品翻倍至 2048，在HBM4 DRAM 上沿用 1b 工艺的 SK 海力士和美光不得…
英特尔在服务器和消费产品中都采用了热压粘合技术，现在还开发出一种专门针对大型封装基板的新型热压粘合工艺，有助于克服粘合过程中的芯片和基板翘曲，可最大限度地减少了键合过程中封装基板和芯片之间的热差，从而提高了…
5 月 28 日消息，韩媒 MToday 报道称，SK 海力士计划今年十月开始正式量产 HBM 高带宽内存的最新迭代版本 12HiHBM4，而这一生产策略是因应英伟达计划明年推出的 "Rubin"…
4 月 30 日消息，综合英特尔官方演讲内容和德媒 Hardwareluxx 编辑 Andreas Schilling拍摄的现场照片，2025 Intel Foundry Direct Conne…
月 8 日消息，韩媒《朝鲜日报》在当地时间昨日的报道中表示，两大韩系 DRAM 内存原厂三星电子和 SK海力士都正在考虑将混合键合技术引入下一代 HBM 内存 —— HBM4 中。 消息人士透露，三星电子预…
据TrendForce报道，三星正在与多个客户密切合作，开发定制HBM4和HBM4E解决方案，其中包括了英伟达、博通和谷歌等科技巨头。其中HBM4产品最快在2025年下半年量产，2026年上半年开始发货，如…
快科技4月28日消息，SK海力士在台积电北美技术研讨会上，首次公开展示了其HBM4技术，这也是唯一一家展示HBM4技术的公司，同时还展示了几款新产品。 在HBM4内存方面，SK海力士领先于竞争对手，有消息称S…
在服务器内存方面，SK海力士同步展出了基于最新1c DRAM工艺制造的RDIMM与MRDIMM产品，传输速度最高达12,500MB/s。 通过不断推动HBM与服务器内存技术创新，并与NVIDIA等合作伙伴紧…
快科技4月24日消息，据媒体报道，随着1y和1z制程8GbDDR4逐渐停产，三星也将停止其HBM2E产品的生产，目前已进入最后采购阶段，接下来会将重点转向HBM3E和HBM4。 近年来，随着人工智能、高性能…
在第五代HBM竞争中处于劣势的三星，正将翻身希望寄托在下一代HBM4产品上，目标是在今年内实现量产。 在晶圆代工领域，由于3纳米及以下先进工艺尚未获得大型客户订单，三星在争夺高端客户上的劣势可能在短期内持续…
相较于 HBM PHY，流片成功的 HBM4 PHY 实现了 2.5 倍的带宽提升，并将功耗效率提升 1.5 倍，面积效率提升 2 倍，PPA提升显著。 我们很自豪成为全球首家成功流片 12Gbps HB…
3 月 19 日消息，SK 海力士今日宣布推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新产品 12 层（12Hi）HBM4内存，并在全球率先向主要客户出样了 12Hi HBM4。以业界最大规模的 HBM…
2 月 27 日消息，韩媒 ETNews 昨日（2 月 26 日）发布博文，报道称 SK 海力士的第 6 代 12 层堆叠高带宽内存HBM4 测试良率已达 70%，为即将到来的量产阶段奠定了坚实基…
2月12日消息，据韩国媒体报道，三星电子正在重新调整其第六代1cnm DRAM的设计，以提升良品率，确保其HBM4内存的量产。三星的1cnm DRAM自开发以来一直面临良品率问题，2024年末的试产并…
英伟达计划于明年推出下一代 AI 加速器“Rubin”，但预计将提前 6 个月至今年第三季度。 报道还称，英伟达 HBM 最大供应商 SK海力士已经在加速 HBM4 的开发和量产。英伟达 CEO 黄仁勋去年…
在制造方面，三星不仅利用自家4nm技术制造逻辑芯片，还引入了10nm制程来生产DRAM，以打造更为出色的HBM4产品。与HBM3E相比，HBM4的单个堆栈带宽已飙升至1.6TB/s，这一显著的提升使得内存系…
据了解，美光的 HBM4 将采用 1β 工艺（第五代 10nm 技术）生产的 DRAM，置于一个 2048位接口的基础芯片上，数据传输速率约为6.4GT/s，理论带宽高达每堆栈 1.64TB/s。…
12 月 4 日消息，经济日报今天（12 月 4日）发布博文，英伟达（Nvidia）携手台积电（TSMC）等供应链合作伙伴，为迎接新一轮 AI 热潮，同时也是为巩固其在 AI 领域的领先地位，已提…
12 月 4 日消息，据两家韩国姊妹媒体 hankyung、KED Global 近两日报道，SK 海力士将为定制 HBM4内存导入更为先进的台积电 3nm 工艺基础裸片，以响应英伟达等美国大型科技企业的需…
12 月 4 日消息，据两家韩国姊妹媒体 hankyung、KED Global 近两日报道，SK 海力士将为定制 HBM4内存导入更为先进的台积电 3nm 工艺基础裸片，以响应英伟达等美国大型科…
据韩媒 ETNews 报道，三星电子、SK海力士和美光等内存厂商正在准备采用无助焊剂键合（Fluxless Bonding）技术，这一技术有望应用于下…
11 月 14 日消息，据韩媒 ETNews 报道，三星电子、SK 海力士、美光均对在下代 HBM4内存中采用无助焊剂键合（Fluxless Bonding）技术抱有兴趣，正在进行技术准备。 SK…
11 月 12 日消息，韩媒 MK 昨日（11 月 11 日）发布博文，报道称三星已着手为微软和 Meta 两家公司，供应定制的HBM4 内存。 高带宽内存（HBM）是一种新型计算机内存接口，旨在…
但是，SK海力士似乎没有十足的信心满足老黄，崔泰源也只是谨慎地说：“我们会努力。” 需要指出的是，黄仁勋这么急着要HBM4，可不是为了Blackwell，因为后者用的还是HBM3E，显然是为了下一代全新的R…
SK 海力士计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品，而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026年推出。此外，消息称 SK 海力士已经和台积电达成合作，共同设计和…
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